英诺赛科(深圳)半导体有限公司邹艳波获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(深圳)半导体有限公司申请的专利具有平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116076011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280004821.5，技术领域涉及：H01F27/24；该发明授权具有平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器是由邹艳波;杜发达;陈钰林;汤超设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器在说明书摘要公布了：提供一种开关模式电力供应器。所述电力供应器包含具有基于GaN的功率半导体晶体管和平面变压器的反激转换器。所述平面变压器包含磁芯以及初级和次级平面线圈绕组。所述磁芯具有被配置成接纳所述初级和次级平面线圈绕组的上部芯体和下部芯体。所述下部芯体具有至少三个突起，包含两个外围突起，以及被所述初级和所述次级平面线圈绕组环绕的中心突起。所述中心突起和所述两个外围突起具有相同高度，使得当所述两个外围突起接触所述上部芯体时，所述下部芯体的所述中心突起和所述上部芯体之间不存在气隙。所述中心突起由铁粉制成，且所述两个外围突起由铁氧体材料制成。
本发明授权具有平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器在权利要求书中公布了：1.一种开关模式电力供应器，其特征在于，包括： 反激转换器，其包含： 基于GaN的功率半导体晶体管； 平面变压器，其包含磁芯以及初级和次级平面线圈绕组； 其中： 所述磁芯包含被配置成接纳所述初级和次级平面线圈绕组的上部芯体和下部芯体； 所述下部芯体具有至少三个突起，包含两个外围突起，以及被所述初级和次级平面线圈绕组环绕的中心突起； 所述中心突起和所述两个外围突起具有相同高度，使得当所述两个外围突起接触所述上部芯体时，所述下部芯体的所述中心突起和所述上部芯体之间不存在气隙； 所述中心突起由铁粉制成，且所述两个外围突起由铁氧体材料制成； 所述初级平面线圈绕组在上侧和下侧由次级线圈绕组环绕； 所述反激转换器进一步包含初级开关，所述初级开关电耦合到所述初级平面线圈绕组且经切换以允许或阻止电流流经所述初级平面线圈绕组。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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