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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116114071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180054960.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪涵;卜伟海设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：沟道结构层，包括多个自下而上依次间隔设置的第一沟道层，第一沟道层沿横向延伸，平行于基底且与横向相垂直的方向为纵向；栅极结构，横跨沟道结构层且包围第一沟道层；源漏结构，位于栅极结构两侧，包括位于第一沟道层侧壁的第一源漏掺杂层；源漏插塞，与源漏结构的顶部相接触，且还与第一源漏掺杂层沿纵向且与栅极结构相背的侧壁、沿横向第一侧侧壁和沿横向第二侧侧壁中的至少一个侧壁相接触。源漏插塞至少与第一源漏掺杂层的其中之一侧壁相接触，使得电流直接通过源漏插塞流向各个第一沟道层，减小电流在流向各个第一沟道层的路径中消耗的压降，提高各个第一沟道层内的沟道电流值，增强器件的驱动电流。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 沟道结构层，位于所述基底上，所述沟道结构层包括多个自下而上依次间隔设置的第一沟道层，所述第一沟道层沿横向延伸，平行于基底且与所述横向相垂直的方向为纵向； 栅极结构，横跨所述沟道结构层且包围所述第一沟道层，并且所述栅极结构填充于相邻的第一沟道层之间，以及所述基底和与基底相邻的所述第一沟道层之间； 源漏结构，位于所述栅极结构的两侧且覆盖所述沟道结构层的侧壁，所述源漏结构包括沿所述横向位于所述第一沟道层侧壁的第一源漏掺杂层； 源漏插塞，位于所述栅极结构的两侧且与所述源漏结构的顶部相接触，并且所述源漏插塞，还与所述第一源漏掺杂层沿纵向且与所述栅极结构相背的侧壁、沿横向第一侧的侧壁和沿横向第二侧的侧壁中的至少一个侧壁相接触； 其中，所述沟道结构层还包括：第二沟道层，位于所述基底与所述第一沟道层之间且与所述第一沟道层间隔设置；所述栅极结构填充于相邻的第一沟道层之间，以及所述第二沟道层和与所述第二沟道层相邻的所述第一沟道层之间； 所述源漏结构还包括：第二源漏掺杂层，沿所述横向位于所述第二沟道层的侧壁，所述第二源漏掺杂层还位于所述第二沟道层两侧的基底顶面，并且沿横向所述第二源漏掺杂层的端部凸出于所述第一源漏掺杂层的端部；所述源漏插塞至少与所述第一源漏掺杂层和所述第二源漏掺杂层的顶部、以及所述第一源漏掺杂层沿纵向且与所述栅极结构相背的侧壁相接触。

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