武汉大学梅青松获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种石墨烯-纳米孪晶铜复合材料的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116427000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310079313.X,技术领域涉及:C25D15/00;该发明授权一种石墨烯-纳米孪晶铜复合材料的制备方法是由梅青松;彭宇琦;陈子豪;徐涛;王一晨;谭媛媛设计研发完成,并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯-纳米孪晶铜复合材料的制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及石墨烯复合材料制备的技术领域,具体涉及一种石墨烯‑纳米孪晶铜复合材料的制备方法,采用脉冲复合电沉积工艺制备,包括以下步骤:1配置包含光亮剂、整平剂和分散剂的硫酸铜电镀溶液,将石墨烯均匀分散于电镀液中,形成最终的复合镀液;2采用惰性电极为阴极,采用铜磷板作为阳极,将阴极与阳极置于复合镀液中,进行脉冲电沉积,得到具有梯度结构铜晶粒为基体,石墨烯为增强相的复合材料。本发明的方法制备得到的石墨烯梯度纳米孪晶铜复合材料具有石墨烯分散性好,基体孪晶层片细小,复合材料硬度和热导率优异等特点,该方法适合大规模工业应用。
本发明授权一种石墨烯-纳米孪晶铜复合材料的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种石墨烯-纳米孪晶铜复合材料的制备方法,其特征在于,采用脉冲复合电沉积工艺制备,包括以下步骤: 1配置包含光亮剂、整平剂和分散剂的硫酸铜电镀溶液,将石墨烯均匀分散于电镀液中,形成最终的复合镀液; 2采用惰性电极为阴极,采用铜磷板作为阳极,将阴极与阳极置于复合镀液中,进行脉冲电沉积,得到具有梯度结构铜晶粒为基体,石墨烯为增强相的复合材料; 所述步骤1中,硫酸铜电镀溶液中包含CuSO4和添加剂,其中复合镀液中CuSO4的浓度为0.1-1M,添加剂包括聚乙二醇、十二烷基硫酸钠和NaCl,复合镀液中聚乙二醇的浓度为0.05-0.1gL、十二烷基硫酸钠的浓度为0.05-0.1gL、NaCl的浓度为0-100mgL;光亮剂为聚硫有机磺酸盐,整平剂为巯基杂环化合物,分散剂为各种表面活性剂,复合镀液中光亮剂的浓度为0.01-0.1gL,整平剂的浓度为0.01-0.1gL,分散剂的浓度为0.01-0.1g; 所述步骤2中,脉冲电沉积的温度为5~30℃,脉冲电沉积过程中采用恒流,电流密度设置为20~800mAcm2,电沉积时间为0.5~60h,脉冲频率为0.1-0.3秒的低导通时间和1-2秒的长断开时间;在脉冲电沉积过程中持续搅拌复合镀液,速率为200~1000rpm;在脉冲电沉积过程中持续超声波震荡,超声频率为10-40KHZ; 制备的石墨烯-纳米孪晶铜复合材料具有梯度的孪晶结构组织,孪晶层间距在50-100nm之间,界面处存在铜晶体的111晶面取向和石墨烯的100晶面取向衔接的排布规律。
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