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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所;潍坊先进光电芯片研究院申请的专利侧向复合光子晶体半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411858429.4，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权侧向复合光子晶体半导体激光器是由郑婉华;周航;傅廷;周旭彦;齐爱谊;王学友;高梓杰设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本侧向复合光子晶体半导体激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种侧向复合光子晶体半导体激光器，可应用于人工微纳结构及半导体激光器技术领域。该激光器包括：刻蚀在外延结构上的增益主阵列、损耗侧向光子晶体阵列以及附加微结构，其中，损耗侧向光子晶体阵列位于增益主阵列的至少一侧；附加微结构位于增益主阵列以及损耗侧向光子晶体阵列中的至少一个的至少一侧。通过传输矩阵法扫描匹配，构建已知增益主阵列的损耗侧向光子晶体阵列，并使得两者相互耦合，使得高阶侧模的损耗提升的同时增大激光器的基模同高阶模式间的模式辨别能力，从而获得以基侧模为主的单模激光输出，减小激光器的水平远场发散角，提高激光器的侧向光束质量。

本发明授权侧向复合光子晶体半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种侧向复合光子晶体半导体激光器，其特征在于，包括： 刻蚀在外延结构上的增益主阵列、损耗侧向光子晶体阵列以及附加微结构， 其中，所述损耗侧向光子晶体阵列位于所述增益主阵列的至少一侧； 所述附加微结构位于所述增益主阵列以及所述损耗侧向光子晶体阵列中的至少一个的至少一侧； 所述外延结构包括： N型衬底层，用于支撑半导体芯片； N型缓冲层，用于减少外延生长的缺陷，位于所述N型衬底层上； N型限制层，用于限制光场的扩展，位于所述N型缓冲层远离所述N型衬底层的一侧； 有源层，用于复合载流子和产生光子，位于所述N型限制层远离所述N型衬底层的一侧； P型限制层，用于限制光场的扩展，位于所述有源层远离所述N型衬底层的一侧；以及 P型接触层，用于和金属电极形成欧姆接触，位于所述P型限制层远离所述N型衬底层的一侧； 所述增益主阵列、所述损耗侧向光子晶体阵列以及所述附加微结构在所述外延结构上的刻蚀深度至少从所述P型接触层至所述P型限制层；以及 所述增益主阵列、所述损耗侧向光子晶体阵列以及所述附加微结构在所述外延结构上的刻蚀深度是彼此独立的； 所述附加微结构表现为增益主阵列或损耗侧向光子晶体阵列的波导单元的宽度啁啾或者刻蚀深度啁啾，以提高损耗侧向光子晶体阵列对增益主阵列侧模的耦合作用，同时增大增益主阵列和损耗侧向光子晶体阵列的损耗能力，提高对高阶侧模的耗散；以及 在所述附加微结构的调制作用下，所述增益主阵列和损耗侧向光子晶体阵列相互耦合，以形成侧向复合光子晶体半导体激光器，实现以基侧模为主的激光输出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所;潍坊先进光电芯片研究院，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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