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龙图腾网获悉四川和恩泰半导体有限公司申请的专利一种三维芯片的工艺仿真方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119830823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879681.3，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种三维芯片的工艺仿真方法及系统是由王建全;邓飞宇;骆明星;陈克乐;王悦聪;刘耀;罗昌海设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维芯片的工艺仿真方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及工艺仿真术领域，具体公开了一种三维芯片的工艺仿真方法及系统，包括以下步骤：步骤S1：获取加工周期，根据设定的时间间隔阈值选取若干节点，并获取每个节点处的物理参数和环境指标；将物理参数与相应的环境指标关联起来，形成加工数据；步骤S2：收集全部的历史加工数据，并对每个节点进行编号，生成物理参数随时间变化的加工变化曲线；计算这些曲线的平均变化率，并结合历史数据中相关联的环境指标值，生成参数变化曲线；步骤S3：获取仿真过程中的环境指标，并将其与历史加工数据中的环境指标进行比较；步骤S4：持续监测物理参数，得到当前的加工变化曲线及其平均变化率，计算差异值。

本发明授权一种三维芯片的工艺仿真方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种三维芯片的工艺仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：获取芯片开始加工至加工结束所经历的时间段，记为加工周期；设定时间间隔阈值，根据所述时间间隔阈值在所述加工周期内选取若干节点；获取各节点处的物理参数，得到实时物理参数，所述物理参数包括尺寸、粗糙度；并获取所述加工周期内的全部环境指标，所述环境指标包括温度、化学反应速率；将各物理参数与一个环境指标相关联，并将加工周期内的全部实时物理参数和全部环境指标记为加工数据； 步骤S2：获取全部历史加工数据，在所述历史加工数据中，对各节点进行编号，根据各节点处的物理参数，生成物理参数的加工变化曲线； 获取所述物理参数的加工变化曲线的平均变化率，并获取历史加工数据中与所述物理参数相关联的环境指标的值，根据各环境指标的值及其对应的平均变化率，生成参数变化曲线； 步骤S3：对芯片进行工艺仿真前，获取工艺仿真的各环境指标，均记为仿真环境指标；将全部仿真环境指标与所述历史加工数据中的环境指标进行对比，得到与各历史加工数据的环境指标的相似度，其中n为环境指标的总个数，Zi表示第i个环境指标，Zi´表示第i个仿真环境指标，i∈[1，n]；选取出所述相似度最高的历史加工数据的环境指标，将该历史加工数据记为类加工数据； 步骤S4：对芯片进行工艺仿真时，将正在监测的物理参数记为监测物理参数；实时获取监测物理参数，得到加工变化曲线，记为当前加工变化曲线；并实时获取所述当前加工变化曲线的平均变化率，记为当前变化率R；获取与实时监测的物理参数相关联的仿真环境指标，并获取该仿真环境指标的值，记为Z´；实时获得差异值Dv=|R-fZ´|，其中fZ´为环境指标的值为Z´时所述参数变化曲线的表达式；若所述差异值超过预设差异阈值，则对所述监测物理参数进行修正； 在步骤S1中，将各物理参数与一个环境指标相关联的过程包括： 选取任意环境指标作为待测环境指标，并记其余的环境指标为其余环境指标；在全部历史加工数据中，选取出所述其余环境指标均一致，仅待测环境指标一致的若干历史加工数据，记为验证数据；获取所述验证数据中在加工结束时的物理参数，对比各验证数据之间的物理参数； 在步骤S1中，对比各验证数据之间的物理参数的过程包括： 在全部验证数据中任意选取一个验证数据作为标准验证数据，将所述标准验证数据的物理参数记为标准物理参数P0，并将所述标准验证数据的待测环境指标记为标准环境指标Z0；获取验证数据的待测环境指标Z与所述标准环境指标的指标差值Cz=|Z-Z0|，并获取验证数据的物理参数P与所述标准物理参数的参数差值Cp=|P-P0|；根据各指标差值对应的参数差值，得到数据集，并获取所述数据集内的指标差值与参数差值的相关系数，对所述相关系数进行判断。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人四川和恩泰半导体有限公司，其通讯地址为：629000 四川省遂宁市经济技术开发区西宁片区纵一路恩彼特智能制造产业园5号楼1-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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