西安交通大学张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料、器件及存算一体阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411271055.6，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料、器件及存算一体阵列是由张伟;王晓哲;王疆靖设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料、器件及存算一体阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料、器件及存算一体阵列，所述相变存储材料包含铬Cr元素与碲Te元素，化学式为CrxTe100‑x，其中0＜x＜100；所述相变存储材料的非晶与晶体薄膜在‑200～200℃温度区间下的电阻漂移系数均≤0.002。本发明的相变存储材料的非晶相局部机构以八面体为主，不存在明显的佩尔斯畸变，能够在宽温域下保持超低的电阻漂移系数，克服了现有相变存储技术中的电阻漂移问题，尤其是在宽温域工况温度下电阻漂移行为复杂化的问题。
本发明授权一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料、器件及存算一体阵列在权利要求书中公布了：1.一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料，其特征在于，所化学式为CrxTe100-x，其中0＜x＜100； 所述相变存储材料的非晶与晶体薄膜在-200~200℃温度区间下的电阻漂移系数均≤0.002； 所述相变存储材料的晶体相结构具有层状结构特征，其层内结构中的Cr原子均与Te原子形成[CrTe6]八面体局部结构，各个八面体结构之间以共角和共棱形式进行连接；层间结构以范德华力进行连接； 所述相变存储材料的非晶相结构中大部分Cr原子均与Te原子形成[CrTe6]八面体局部结构，其余Cr原子形成缺陷八面体局部结构，各个八面体或缺陷八面体结构之间随机分布连接； 所述相变存储材料的晶体与非晶的局部结构均是以[CrTe6]八面体为主，[CrTe6]八面体具有稳定的Cr-Te化学键，沿同一方向Cr-Te键的键长相同，不存在明显的佩尔斯畸变； 所述相变存储材料的非晶薄膜结晶温度为250~300℃，十年数据保持温度为130~190℃。
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