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深圳市维攀科技有限公司谢峰雄获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市维攀科技有限公司申请的专利一种半导体集成MOS管结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223487056U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422875874.3,技术领域涉及:H01L23/495;该实用新型一种半导体集成MOS管结构是由谢峰雄;邓易兵;张堂锋设计研发完成,并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种半导体集成MOS管结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种半导体集成MOS管结构,涉及半导体器件技术领域。包括塑封壳体,塑封壳体的内底部嵌装有铝基板,塑封壳体内固定安装有引线框架,且引线框架的底部通过导热膏与铝基板相贴合,引线框架上设有引脚,且引脚自塑封壳体的侧壁向外伸出,引线框架上锡焊有芯片体,铝基板的一端通过销轴铰接有金属防护片。该半导体集成MOS管结构,在进行运输或携带时,将金属防护片通过卡槽与引脚进行卡接,使得引脚被收纳在防护片内,从而对引脚起保护作用,能够改善在运输过程中,引脚被外界物体挤压而发生弯折的情况,在进行安装时,将金属防护片折叠收起,使其紧贴于铝基板上,能够增加散热面积,提高MOS管的散热效果。

本实用新型一种半导体集成MOS管结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体集成MOS管结构,包括塑封壳体1,其特征在于:所述塑封壳体1的内底部嵌装有铝基板2,所述塑封壳体1内固定安装有引线框架3,且引线框架3的底部通过导热膏与铝基板2相贴合,所述引线框架3上设有引脚4,且引脚4自塑封壳体1的侧壁向外伸出,所述引线框架3上锡焊有芯片体5,所述铝基板2的一端通过销轴铰接有金属防护片6,且金属防护片6上开设有卡槽7,所述金属防护片6通过卡槽7与引脚4相卡接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市维攀科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅园路5号创意园Y2-2F-06;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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