日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利布线结构、电子装置和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110459526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910374302.8，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权布线结构、电子装置和其制造方法是由黄文宏;黄茜楣;钟燕雯设计研发完成，并于2019-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本布线结构、电子装置和其制造方法在说明书摘要公布了：一种布线结构，包含绝缘层和导电结构。所述绝缘层具有上表面和与所述上表面相对的下表面，且界定贯穿所述绝缘层的开口。所述导电结构位于所述绝缘层的所述开口中，并包含第一屏障层和润湿层。所述第一屏障层位于所述绝缘层的所述开口的侧壁上，且界定贯穿所述第一屏障层的穿孔。所述润湿层位于所述第一屏障层上。所述润湿层的一部分从所述第一屏障层的所述穿孔和所述绝缘层的所述下表面暴露以形成球垫。
本发明授权布线结构、电子装置和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其包括： 第一绝缘层，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面，且界定贯穿所述第一绝缘层的第一开口； 下部导电结构，其包含位于所述第一绝缘层的所述第一开口中的下部电路结构，其中所述下部电路结构包含多个金属层，所述下部电路结构包含接合区和延伸区，且所述接合区的金属层的层数不同于所述延伸区的金属层的层数； 至少一个电连接元件，其附接到所述下部导电结构的所述接合区； 上部导电结构，其电连接到所述下部导电结构； 中间导电结构，其位于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且所述上部导电结构通过所述中间导电结构电连接到所述下部导电结构； 第二绝缘层，其覆盖所述第一绝缘层和所述下部导电结构的至少部分，所述中间导电结构位于所述第二绝缘层上； 第三绝缘层，其覆盖所述第二绝缘层和所述中间导电结构的至少部分，所述上部导电结构位于所述第三绝缘层上；和 第四绝缘层，其覆盖所述第三绝缘层和所述上部导电结构的至少部分。
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