三星电子株式会社吴准英获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件及制造该半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110797311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910216950.0，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权半导体封装件及制造该半导体封装件的方法是由吴准英;金贤基;金祥洙;金承焕;李镕官设计研发完成，并于2019-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及制造该半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装件包括：封装件衬底；至少一个半导体芯片，其安装在封装件衬底上；以及模制构件，其围绕所述至少一个半导体芯片。模制构件包括填料。填料中的每一个包括芯和围绕芯的涂层。芯包括非电磁材料，并且涂层包括电磁材料。模制构件包括分别具有填料的不同分布的区域。
本发明授权半导体封装件及制造该半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 封装件衬底； 至少一个半导体芯片，其安装在所述封装件衬底上；以及 模制构件，其围绕所述至少一个半导体芯片， 所述模制构件包括填料， 所述填料中的每一个包括芯和围绕所述芯的涂层， 所述芯包括非电磁材料， 所述涂层包括电磁材料，并且 所述模制构件包括分别具有所述填料的不同分布的区域， 其中，所述填料包括第一填料和第二填料， 所述第一填料被构造为与所述第二填料相比对电场作出相对强的反应， 所述第二填料被构造为与所述第一填料相比对电场作出相对弱的反应，并且 所述第一填料和所述第二填料布置在所述模制构件中的各个区域中的不同区域中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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