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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910948717.1，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法是由A.迈泽;C.莱恩德茨;A.毛德设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法。本发明提供一种碳化硅衬底700，其中碳化硅衬底700具有沟槽750，该沟槽750从碳化硅衬底700的主表面701延伸到碳化硅衬底700中并且在沟槽底部751具有沟槽宽度wg。在碳化硅衬底700中构造屏蔽区140，其中屏蔽区140沿着沟槽底部751延伸。在至少一个大致平行于沟槽底部751延伸的掺杂剂平面105中，屏蔽区140中在横向第一宽度w1上的掺杂剂浓度与掺杂剂浓度的最大值的偏差不超过10％。第一宽度w1小于沟槽宽度wg并且是沟槽宽度wg的至少30％。

本发明授权具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，其具有： 提供碳化硅衬底700，其中所述碳化硅衬底700具有沟槽750，所述沟槽750从所述碳化硅衬底700的主表面701延伸到所述碳化硅衬底700中并且在沟槽底部751具有沟槽宽度wg； 在所述碳化硅衬底700中构造屏蔽区140，其中所述屏蔽区140沿着所述沟槽底部751延伸，在至少一个大致平行于所述沟槽底部751延伸的掺杂剂平面105中，所述屏蔽区140中在横向第一宽度w1上的掺杂剂浓度与所述掺杂剂平面105中掺杂剂浓度的最大值的偏差不超过10％；并且 所述第一宽度w1小于所述沟槽宽度wg并且是所述沟槽宽度wg的至少30％； 其中构造所述屏蔽区140包括： 构造注入掩模740，其中所述注入掩模740在所述沟槽底部751处具有第三宽度w3的注入掩模开口741，其中所述第三宽度w3大于所述第一宽度w1；并且 通过所述注入掩模开口741引入掺杂剂原子； 其中所述掺杂剂平面105连接所述屏蔽区140中垂直掺杂剂分布的横向相邻的局部最大值，并且所述第一宽度w1与所述第三宽度w3和所述掺杂剂平面105距所述沟槽底部751的距离d3的两倍之间的差的偏差不超过±10％。

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