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度亘激光技术(苏州)有限公司杨国文获国家专利权

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龙图腾网获悉度亘激光技术(苏州)有限公司申请的专利一种半导体激光器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111211486B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010148937.9,技术领域涉及:H01S5/06;该发明授权一种半导体激光器是由杨国文;唐松设计研发完成,并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种半导体激光器在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种半导体激光器,所述半导体激光器包括:波导阵列,所述波导阵列由多个子波导组成;光耦合器,设置在所述波导阵列的一端;抗反膜,设置在所述光耦合器的光输出端;高反膜,设置在所述波导阵列的另一端。本申请实现了提高半导体激光器的光输出功率。

本发明授权一种半导体激光器在权利要求书中公布了:1.一种半导体激光器,其特征在于,包括: 波导阵列,所述波导阵列由多个子波导组成; 光耦合器,设置在所述波导阵列的一端; 抗反膜,设置在所述光耦合器的光输出端; 高反膜,设置在所述波导阵列的另一端; 其中,所述波导阵列包括第一波导阵列和第二波导阵列;其中,所述第二波导阵列包括:第一子波导、第二子波导和第三子波导,所述第一子波导和第三子波导关于所述第二子波导对称设置,所述第一子波导和第三子波导为S型弯曲波导,所述S型弯曲波导任意处的弯曲角度小于或等于15度; 其中,所述波导阵列和所述光耦合器均形成于半导体外延层上;所述半导体外延层包括上限制层和欧姆接触层;所述第一波导阵列和所述第二波导阵列的连接处设置有沟槽;所述沟槽穿过所述半导体外延层中的所述欧姆接触层,并延伸至所述上限制层; 其中,所述光耦合器为多模干涉耦合器,所述光耦合器的中心轴线与所述波导阵列的中心轴线重合,所述光耦合器的长度范围为0.7L’至0.95L’,L’为所述光耦合器的光输入端口到第一个光场汇聚点的距离,且L’为L4,L为自映像的距离周期; 其中,所述自映像的距离周期由多模干涉耦合器的光传输特性决定: , 其中,L为自映像的距离周期,λ为波长,We为多模波导中基模的等效宽度,nr为等效折射率,多模波导的宽度为W,对于高折射率差的波导,We≈W;对于低折射率差的波导,We略大于W。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人度亘激光技术(苏州)有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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