三星电子株式会社白石千获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111293124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910863590.3，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权垂直存储器装置是由白石千;鲁知艺;孙仑焕;千志成设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直存储器装置在说明书摘要公布了：公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极以及沟道。栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开。沟道延伸穿过栅电极，并且包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分形成在第一部分上并且连接到第一部分，并且具有相对于基底的上表面倾斜的侧壁，从而具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度。第三部分形成在第二部分上并且连接到第二部分。
本发明授权垂直存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括： 栅电极，堆叠在基底上，所述栅电极在与所述基底的上表面垂直的竖直方向上彼此分隔开；以及 沟道，延伸穿过所述栅电极，所述沟道包括： 第一部分，其中，所述第一部分具有在所述第一部分的顶部处的第一宽度，第一宽度是所述第一部分的顶部的外侧壁之间的距离； 第二部分，位于所述第一部分上并且连接到所述第一部分，所述第二部分具有相对于所述基底的所述上表面倾斜的侧壁，使得所述第二部分具有从所述第二部分的底部朝向顶部逐渐减小并且作为所述第二部分的外侧壁之间的距离的第二宽度；以及 第三部分，位于所述第二部分上并且连接到所述第二部分，其中，所述第三部分具有在所述第三部分的底部处的第三宽度，第三宽度是所述第三部分的底部的外侧壁之间的距离， 其中，在所述第一部分的顶部处的第一宽度与在所述第二部分的底部处的第二宽度相同，并且在所述第二部分的顶部处的第二宽度与在所述第三部分的底部处的第三宽度相同， 其中，所述垂直存储器装置还包括覆盖所述沟道的外侧壁的电荷存储结构， 其中，所述电荷存储结构的一部分向上突出，在与所述基底的所述上表面平行的水平方向上与所述沟道叠置，并且不接触所述沟道的所述外侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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