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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司申请的专利一种碳化硅表面的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111681943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010344980.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种碳化硅表面的处理方法是由吴昊;李玲;朱涛;姜春艳;刘瑞;张红丹;焦倩倩;蔡依沙设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅表面的处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层；采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响，本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。

本发明授权一种碳化硅表面的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅表面的处理方法，其特征在于，包括： 在碳化硅衬底表面生长氧化层； 在所述氧化层表面沉积掺杂层； 对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火； 所述在碳化硅衬底表面生长氧化层，包括： 将所述碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃min-200℃min的升温速率升高到900℃-1200℃，以1SLM-10SLM的流量通入O2、NO和N2O中的一种或多种； 将氧化炉的内部温度以10℃min-200℃min的升温速率升高到1200℃-1500℃，维持1min-5h，停止通入O2、NO和N2O中的一种或多种； 维持氧化炉内部温度，以1SLM-10SLM的流量通入H2和O2，维持1min-5h，之后停止通入H2和O2，得到氧化层； 所述在所述氧化层表面沉积掺杂层，包括： 将含有氧化层的碳化硅衬底放入原子层沉积设备，并将所述原子层沉积设备抽真空； 将所述原子层沉积设备加热至预设温度； 依次采用P掺杂源、硅掺杂源和氧源在所述氧化层表面沉积掺杂层； 所述对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照预设真空度进行真空退火，包括： 将含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底放入退火炉，并将所述退火炉抽真空至设定真空度； 以10℃min-200℃min的升温速率将退火炉的内部温度升高到900℃-1500℃，维持30min-2h； 以10℃min-200℃min的降温速率将退火炉的内部温度降至室温； 所述设定真空度为10-6torr-10-9torr。

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