三星电子株式会社金元洪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111968969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010176255.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由金元洪;姜泌圭;佐佐木雄一朗;林圣根;河龙湖;玄尚镇;金国桓;吴承河设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域；位于所述多个鳍型有源区上的源极漏极区；第一导电插塞，位于所述源极漏极区上并电连接到所述源极漏极区；掩埋轨道，穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及电力输送结构，布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触并电连接到所述掩埋轨道。
本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括： 嵌入绝缘层； 半导体层，所述半导体层位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述半导体层的所述主表面突出以在第二水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区； 分隔绝缘层，所述分隔绝缘层将所述半导体层分隔成在与所述第二水平方向相交的第一水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域； 位于所述多个鳍型有源区上的源极漏极区； 第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述源极漏极区上并电连接到所述源极漏极区； 掩埋轨道，所述掩埋轨道穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及 电力输送结构，所述电力输送结构布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触以电连接到所述掩埋轨道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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