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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010989081.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其制造方法是由赵祥辉设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底；在衬底上方形成堆叠层，堆叠层包括核心存储区和台阶区，台阶区包括连接区和至少一个分区台阶区，连接区用于连接每个分区台阶区和核心存储区；形成初始掩模图案，初始掩模图案覆盖连接区和每个分区台阶区，并且初始掩模图案在每个分区台阶区中形成开口；在每个分区台阶区中形成以开口为中心向四周逐渐升高的初始台阶结构；以及将每个分区台阶区中的初始台阶结构划分为N个子台阶区，且处理N个子台阶区以形成N个子台阶结构，其中，N个子台阶结构在堆叠层的深度不同。根据本发明的制造方法可以在有限的晶圆面积上同时形成多层台阶结构，制程的复杂度低，节省成本。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，包括： 提供衬底； 在所述衬底上方形成堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区和台阶区，所述台阶区包括连接区和至少两个分区台阶区，所述连接区用于连接每个所述分区台阶区和所述核心存储区，其中，所述连接区位于所述至少两个分区台阶区之间并将所述多个分区台阶区分为两部分； 形成初始掩模图案，所述初始掩模图案覆盖所述连接区和每个所述分区台阶区，并且所述初始掩模图案在每个所述分区台阶区中形成开口； 在每个所述分区台阶区中形成以所述开口为中心向四周逐渐升高的初始台阶结构；以及 将每个所述分区台阶区中的所述初始台阶结构划分为N个子台阶区，且处理所述N个子台阶区以形成N个子台阶结构，其中，所述N个子台阶结构在所述堆叠层的深度不同，所述N个子台阶区所处的台阶层数是连续的，每个所述子台阶区通过连接区与核心存储区连接，每一级台阶的厚度是一个电介质层对的厚度，一层或一个台阶指由刻蚀一个电介质层对所获得的台阶； 所述连接区将所述台阶区划分为呈矩阵阵列分布的多个分区台阶区； 其中，位于同一分区台阶区中的多个子台阶区呈矩阵阵列分布。

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