三星电子株式会社金善培获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直场效应晶体管的鳍状结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010455683.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权垂直场效应晶体管的鳍状结构及其制造方法是由金善培;宋昇炫;金基一;郑荣采设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直场效应晶体管的鳍状结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种垂直场效应晶体管VFET的鳍状结构及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成多个芯轴，在所述芯轴之间具有至少一个第一间隙；分别在所述芯轴的侧表面上形成多个第一间隔物，使得在所述第一间隔物之间形成至少一个小于所述第一间隙的第二间隙；在所述第一间隔物的侧表面上形成第二间隔物；去除所述芯轴和所述第一间隔物，保留所述第二间隔物；去除所述第二间隔物的预定部分，使得剩余的第二间隔物在俯视图中具有二维形状；以及去除所述衬底的不在所述剩余的第二间隔物下方的部分和所述剩余的第二间隔物，使得所述衬底位于所述剩余的第二间隔物下方的部分形成所述鳍状结构。
本发明授权垂直场效应晶体管的鳍状结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造垂直场效晶体管的鳍状结构的方法，所述方法包括： 在衬底上形成多个芯轴，在所述芯轴之间具有至少一个第一间隙； 分别在所述芯轴的侧表面上形成多个第一间隔物，使得在所述第一间隔物之间形成至少一个小于所述第一间隙的第二间隙； 在所述第一间隔物的侧表面上形成第二间隔物； 去除所述芯轴和所述第一间隔物，保留所述第二间隔物； 去除所述第二间隔物的预定部分，使得剩余的第二间隔物在俯视图中具有二维形状；以及 去除所述衬底的不在所述剩余的第二间隔物下方的部分和所述剩余的第二间隔物，使得所述衬底的位于所述剩余的第二间隔物下方的部分形成所述鳍状结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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