三星电子株式会社权倍成获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁阻随机存取存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112186100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010344734.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁阻随机存取存储装置及其制造方法是由权倍成设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻随机存取存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种磁阻随机存取存储MRAM装置及其制造方法，所述装置包括：衬底；存储单元，所述存储单元包括顺序堆叠在所述衬底上的下电极、磁隧道结MTJ结构和上电极；钝化图案，所述钝化图案位于所述存储单元的侧壁上；通路，所述通路位于所述存储单元上并与所述上电极接触；和布线，所述布线位于所述通路上并与所述通路接触，其中，所述上电极的中央部分在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上从所述上电极的其余部分突出。
本发明授权磁阻随机存取存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁阻随机存取存储装置，包括： 衬底； 存储单元，所述存储单元包括顺序堆叠在所述衬底上的下电极、磁隧道结结构和上电极，所述上电极包括沿基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向顺序堆叠的下部、中间部分和突出部分； 钝化图案，所述钝化图案位于所述存储单元的侧壁上； 通路，所述通路位于所述存储单元上并与所述上电极接触；和 布线，所述布线位于所述通路上并与所述通路接触， 其中，所述上电极的中央部分在所述垂直方向上从所述上电极的其余部分突出， 所述上电极的所述突出部分在所述垂直方向上的厚度大于所述上电极的所述中间部分在所述垂直方向上的厚度，并且 所述中间部分具有向外呈圆角的凸形形状。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励