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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于半导体器件制造的清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010904537.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于半导体器件制造的清洁方法是由叶明熙;吴松勋;陈昭成;章勋明;周柏玮设计研发完成，并于2015-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体器件制造的清洁方法在说明书摘要公布了：描述了用于IC制造的清洁诸如半导体衬底的衬底的方法，包括利用酸和碱中的一种以及臭氧的第一混合物、接下来通过酸和碱中的另一种以及臭氧的第二混合物清洁半导体衬底。清洁混合物可进一步包括去离子水。在一个实施例中，混合物被喷射到加热的衬底表面上。酸可以是HF，以及碱可以是NH4OH。本发明提供了一种用于半导体器件制造的清洁方法。

本发明授权用于半导体器件制造的清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种清洁半导体衬底的方法，包括： 提供半导体衬底、和位于所述半导体衬底上方的第一管道、第二管道及连接于第一管道和第二管道下方的混合管道； 向所述第一管道和所述第二管道中的一个管道输送第一流体并由所述一个管道朝向所述半导体衬底排出所述第一流体，其中，所述第一流体包括酸和碱中的一种以及水； 向所述第一管道和所述第二管道中的另一个管道输送不同于所述第一流体且低于室温的第二流体并由所述另一个管道朝向所述半导体衬底排出所述第二流体，其中，低于室温的所述第二流体包括臭氧和水，所述第一管道和所述第二管道垂直延伸以使所述第一流体和所述第二流体垂直向下流入所述混合管道，并且所述第一流体和所述第二流体以给定速度流过所述混合管道而不在所述混合管道静止； 在排出所述第一流体和所述第二流体之后且在所述第一流体和所述第二流体落在所述半导体衬底上之前，在所述混合管道中混合排出的所述第一流体和所述第二流体以形成第一清洁混合物，然后向所述半导体衬底提供混合后的所述第一清洁混合物以执行所述半导体衬底的第一清洁、且同时使用提供给所述半导体衬底的背面的热去离子水来加热所述半导体衬底的背面，其中，所述第一清洁混合物包括酸和碱中的一种、臭氧、以及水，所述第一清洁混合物中的所述臭氧在所述第一清洁中用作所述半导体衬底的表面氧化剂； 在所述第一清洁之后，清洗所述半导体衬底；以及 在清洗之后，利用第二清洁混合物执行所述半导体衬底的第二清洁、且同时使用提供给所述半导体衬底的背面的所述热去离子水来加热所述半导体衬底的背面，其中，所述第二清洁混合物包括酸和碱中的另一种、臭氧、以及水； 其中，所述第一清洁和所述第二清洁用于从所述半导体衬底蚀刻材料，通过所述热去离子水的流动和或温度来控制所述材料的蚀刻速率。

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