株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112385020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980026751.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;笹川慎也;高桥绘里香;栃林克明;荒泽亮设计研发完成，并于2019-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种特性波动、元件劣化、形状异常得到抑制的半导体装置。该半导体装置包括含有多个元件的第一区域、含有多个伪元件的第二区域，第二区域设置在第一区域的边缘部，并且元件和伪元件都包含氧化物半导体。元件和伪元件具有同一结构，元件所含有的结构体和伪元件所含有的结构体由同一材料构成并配置在同一层中。此外，氧化物半导体包含In、元素MM是Al、Ga、Y或Sn及Zn。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 含有多个元件的第一区域；以及 含有多个伪元件的第二区域， 其中，所述多个元件中的一个为第一晶体管， 所述多个伪元件中的一个为第二晶体管， 所述第一晶体管和所述第二晶体管都包括： 氧化物半导体； 所述氧化物半导体上的绝缘体；以及 所述绝缘体上的导电体， 所述绝缘体的顶面的高度与所述导电体的顶面的高度相同， 并且，所述第二区域设置在所述第一区域的边缘部。
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