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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有结构化的阻挡区的二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010978933.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权具有结构化的阻挡区的二极管是由J·G·拉文;R·巴布斯克;A·菲利波;C·P·桑多设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有结构化的阻挡区的二极管在说明书摘要公布了：公开了具有结构化的阻挡区的二极管。一种功率半导体器件，包括：具有二极管区段的有源区；围绕有源区的边缘终止区；半导体本体；在半导体本体前侧处的第一负载端子和在半导体本体背侧处的第二负载端子；第一导电类型的漂移区，其被形成在半导体本体中并且延伸到二极管区段中；多个沟槽，其被布置在二极管区段中；第二导电类型的本体区；第一导电性的阻挡区，其中与漂移区的平均掺杂剂浓度相比阻挡区具有至少100倍大的掺杂剂浓度并且阻挡区具有比本体区的掺杂剂剂量大的掺杂剂剂量。阻挡区具有横向结构，二极管区段中的本体区的至少50%被至少借助于阻挡区耦合到漂移区；以及二极管区段中的本体区的至少5%在没有阻挡区的情况下耦合到漂移区。

本发明授权具有结构化的阻挡区的二极管在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括： -具有二极管区段的有源区； -围绕有源区的边缘终止区； -半导体本体，具有前侧和背侧； -在半导体本体前侧处的第一负载端子和在半导体本体背侧处的第二负载端子，其中二极管区段被配置用于在第一负载端子和第二负载端子之间传导二极管负载电流； -第一导电类型的漂移区，其被形成在半导体本体中并且延伸到二极管区段中； -多个沟槽，其被布置在二极管区段中，每个沟槽沿着竖向方向从前侧延伸到半导体本体中并且包括被通过沟槽绝缘体与半导体本体隔离的沟槽电极，其中，两个相邻的沟槽限定半导体本体中的相应的台面部分； -第二导电类型的本体区，其被形成在半导体本体的台面部分中并且被电连接到第一负载端子； -在二极管区段中，在本体区和漂移区之间的第一导电性的阻挡区，其中与漂移区的平均掺杂剂浓度相比阻挡区具有至少100倍大的掺杂剂浓度并且阻挡区具有比本体区的掺杂剂剂量大的掺杂剂剂量，其中阻挡区具有横向结构，根据该横向结构： 二极管区段中的本体区的至少50％被至少借助于阻挡区耦合到漂移区；以及 二极管区段中的本体区的至少5％在没有阻挡区的情况下耦合到漂移区。

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