美光科技公司楠本健一获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011103270.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统是由楠本健一;安田泰造;信藤秀和;森田孝平设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统在说明书摘要公布了：本申请涉及用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统。使用避免无意的接触扩张和接触减少的方法形成具有与硅化物区域邻近的至少一个导电接触结构的微电子装置。在接触开口中形成第一金属氮化物衬里，并且随后处理例如，清洁和干燥多晶硅结构的暴露表面以准备形成硅化物区域。在预处理例如，清洁和干燥期间，相邻介电材料受到金属氮化物衬里的保护，从而阻止接触开口的扩张。在形成硅化物区域之后，在形成导电材料以填充接触开口并且形成导电接触结构例如，存储器单元接触结构、外围接触结构之前，在硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里。
本发明授权用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括： 形成穿过至少一种介电材料的开口以暴露多晶硅结构的表面； 在所述开口中形成第一金属氮化物衬里； 在形成所述第一金属氮化物衬里之后，清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面； 在所述多晶硅结构的所述表面形成金属硅化物区域； 在所述第一金属氮化物衬里上和所述金属硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里；以及 用导电材料填充覆盖所述第二金属氮化物衬里的所述开口的剩余部分，以形成导电接触结构，所述第一金属氮化物衬里不在所述导电接触结构下方延伸。
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