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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911045904.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板和显示装置是由尚庭华;周洋设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板和显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示基板和显示装置，其中，显示基板包括显示区域和挖槽区域，所述挖槽区域和所述显示区域共同组成封闭图形，其中，所述挖槽区域位于所述封闭图形的边缘位置；所述显示区域包括靠近所述挖槽区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域；所述显示基板包括设置在所述第一区域内的低电平信号线，所述低电平信号线用于接收预设信号并与所述第一区域内的走线形成电容，以增加所述走线的负载电容。本发明提供的显示基板和显示装置，能够确保显示装置的显示效果。

本发明授权显示基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区域和挖槽区域，所述挖槽区域和所述显示区域共同组成封闭图形，其中，所述挖槽区域位于所述封闭图形的边缘位置； 所述显示区域包括靠近所述挖槽区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域； 所述显示基板包括设置在所述第一区域内的低电平信号线，所述低电平信号线用于接收预设信号并与所述第一区域内的走线形成电容，以增加所述走线的负载电容； 其中，所述走线包括依次连接的第一线段、第二线段和第三线段，所述第一线段和所述第三线段沿行方向延伸，所述第二线段与行方向相交，所述第一线段平行分布于所述第一区域内，所述第一线段在衬底基板上的正投影与所述低电平信号线在所述衬底基板上的正投影部分重合，所述低电平信号线与第一区域内每一根第一线段的交叠面积不同； 显示基板包括从衬底基板至封装层的方向依次设置的多晶硅层、走线层、第一绝缘层和低电平信号线，其中，自远离挖槽区域第一底边的方向，所述多晶硅层呈阶梯状，且所述多晶硅层与所述走线层之间的交叠面积逐渐变小；所述第一绝缘层包括位于所述低电平信号线和所述走线层之间的第一部分、以及位于所述走线层中相邻两根走线之间的第二部分；在所述多晶硅层和所述走线层之间还设有第二绝缘层，在所述显示基板中开设贯穿所述第一绝缘层的第二部分和所述第二绝缘层的过孔，所述低电平信号线通过所述过孔与所述多晶硅层连接；其中，所述多晶硅层和低电平信号线与第一区域内每一根走线的交叠面积不同，且第一区域内每根走线的负载电容随其连接的子像素的数量的减少而减少。

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