长江存储科技有限责任公司李寒骁获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111642823.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器是由李寒骁;陈金星;范光龙设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器。半导体器件包括存储阵列区和非存储阵列区，存储阵列区包括基底和多个沟道孔，沟道孔贯穿至基底；非存储阵列区内设置有测试块，测试块包括在纵向上与基底相同的测试基底以及贯穿至测试基底的测试孔，测试基底包括纵向间隔设置的多个测试半导体层，各测试半导体层的体积不同；测试孔的侧壁上具有测试导电层，测试导电层与测试孔的底部所穿过或落入的测试半导体层导通；所述方法包括：向半导体器件施加电场，以检测测试孔的电压衬度；根据电压衬度，判断沟道孔的延伸深度是否异常。本发明实施例能够避免采用破坏性检测手段对沟道孔的延伸深度进行检测，且提高检测效率。
本发明授权半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件检测方法，其特征在于，所述半导体器件包括存储阵列区和非存储阵列区，所述存储阵列区包括基底和多个沟道孔，所述沟道孔由所述半导体器件中背向所述基底的顶面纵向贯穿至所述基底；所述非存储阵列区内设置有测试块，所述测试块包括在纵向上与所述基底相同的测试基底、以及由所述顶面纵向贯穿至所述测试基底的测试孔，所述测试基底包括纵向间隔设置的多个测试半导体层，各所述测试半导体层的体积不同；所述测试孔的侧壁上具有测试导电层，所述测试导电层与所述测试孔的底部所穿过或落入的所述测试半导体层导通；所述纵向是指与所述顶面相垂直的方向； 所述方法包括： 向所述半导体器件施加电场，以检测所述测试孔的电压衬度；所述电场的方向由所述半导体器件的顶部指向底部； 根据所述电压衬度，判断所述沟道孔的延伸深度是否异常。
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