联华电子股份有限公司黄圣尧获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高压晶体管元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086666.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权高压晶体管元件及其制作方法是由黄圣尧;陈昱瑞;蔡仁杰;林毓翔设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压晶体管元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高压晶体管元件及其制作方法，其中该高压晶体管元件包括:半导体基材、隔离结构、栅介电层、栅极、源极区以及漏极区。半导体基材具有多条凹沟，由基材表面向下延伸，而形成一个锯齿状剖面轮廓。隔离结构位于多条凹沟的外侧，并由表面向下延伸进入半导体基材之中，用于定义出一个高压区。栅介电层位于高压区上方，且部分地填充于多条凹沟之中。栅极位于栅介电层上方。源极区和漏极区分别位于半导体基材之中，且彼此隔离。
本发明授权高压晶体管元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压晶体管元件，其特征在于，包括: 半导体基材，具有多条凹沟，由基材表面向下延伸，而形成锯齿状剖面轮廓； 隔离结构，位于该多条凹沟的外侧，并由该表面向下延伸进入该半导体基材之中，用于定义出高压区； 栅介电层，位于该高压区上方，且部分地填充于该多条凹沟之中，并与该锯齿状剖面轮廓完全重叠，用于定义出通道区；其中该栅介电层具有一顶面与该基材表面实质共平面，该锯齿状剖面轮廓的顶部与该基材表面之间具有一距离； 栅极，位于该栅介电层上方； 源极区，位于该半导体基材之中；以及 漏极区，位于该半导体基材之中，且与该源极区隔离， 其中该锯齿状剖面轮廓沿着通道宽度方向延伸。
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