天狼芯半导体(成都)有限公司黄汇钦获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种氮化镓功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210972646.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓功率器件及其制备方法是由黄汇钦;吴龙江;曾健忠设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种氮化镓功率器件及其制备方法，氮化镓功率器件包括：衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、第一漏极、第二漏极、盖帽层、P型基底，P型基底两侧分别形成第一N型掺杂区和第二N型掺杂区，钝化层设于P型基底与第二漏极之间，且第二漏极与第一漏极之间电连接，通过在氮化镓功率器件的栅极和源极之间形成一个高阈值电压的N型MOSFET，N型MOSFET在器件源漏极电压较高时导通，使得源极和栅极之间短路，从而使得氮化镓功率器件的栅极在源漏极电压较高依然无法被打开，使得器件可以承受更大的电感能量转换，提升氮化镓功率器件应用于高负载电感场景时的可靠性。
本发明授权一种氮化镓功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，所述氮化镓功率器件包括： 从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层； 设于所述势垒层两侧的源极层和第一漏极，其中，所述源极层和所述第一漏极位于所述氮化镓层上； 设于所述势垒层上的盖帽层； 设于所述盖帽层上的栅极层； 设于所述盖帽层与所述源极层之间的P型基底，其中，所述P型基底的两侧均掺杂有N型掺杂离子，以在所述P型基底两侧分别形成第一N型掺杂区和第二N型掺杂区； 设于所述P型基底上的钝化层； 设于所述钝化层上的第二漏极，其中，所述第二漏极与所述第一漏极之间电连接。
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