东京毅力科创株式会社折居武彦获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030195.2，技术领域涉及：H01L21/302；该发明授权蚀刻方法和蚀刻装置是由折居武彦;高桥信博设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：在向基板供给蚀刻气体来对表面进行蚀刻的蚀刻方法中，实施以下工序：保护工序，向设置有含有氧的硅膜的所述基板供给胺气，来在所述含有氧的硅膜的表面形成用于防止被所述蚀刻气体蚀刻的保护膜以进行保护；以及第一蚀刻工序，向所述基板供给所述胺气以及作为所述蚀刻气体之一的第一蚀刻气体，来对所述含有氧的硅膜进行蚀刻，其中，所述第一蚀刻气体是含氟气体。
本发明授权蚀刻方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，向基板供给蚀刻气体来对表面进行蚀刻，所述蚀刻方法包括以下工序： 保护工序，向设置有含有氧的第一硅膜的所述基板供给胺气，来在所述含有氧的第一硅膜的表面形成用于防止被所述蚀刻气体蚀刻的保护膜以进行保护； 第二蚀刻工序，向形成有所述保护膜的所述基板供给作为所述蚀刻气体之一的第二蚀刻气体，以对设置于所述基板的覆盖含有氧的第二硅膜的被蚀刻膜进行蚀刻，所述保护膜防止所述含有氧的第一硅膜被所述第二蚀刻气体蚀刻；以及 第一蚀刻工序，向所述基板供给所述胺气以及作为所述蚀刻气体之一的第一蚀刻气体，来对所述含有氧的第二硅膜进行蚀刻，其中，所述第一蚀刻气体是含氟气体。
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