长鑫存储技术有限公司杨谦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211277299.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨谦设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供基底，基底包括阵列区和外围区；在阵列区的基底上形成多个第一绝缘结构，在外围区的基底上形成第二绝缘结构；在相邻的第一绝缘结构中形成第一开口，第一开口暴露出第一绝缘结构的侧壁顶部；在第一开口的侧壁及底部，同时在第二绝缘结构上沉积牺牲层；在外围区的第二绝缘结构和牺牲层中，形成第二开口，其中，第二开口暴露出牺牲层的侧壁；至少在第一开口侧壁顶部的牺牲层的表面和第二开口侧壁的牺牲层的表面，形成保护层；去除第一开口底部的牺牲层；去除阵列区和外围区的保护层，以在所述阵列区和所述外围区分别形成第一接触孔和第二接触孔。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括阵列区和外围区； 在所述阵列区的所述基底上形成多个第一绝缘结构，在所述外围区的所述基底上形成第二绝缘结构； 在相邻的所述第一绝缘结构中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述第一绝缘结构的侧壁顶部； 在所述第一开口的侧壁及底部，同时在所述第二绝缘结构上沉积牺牲层； 在所述外围区的所述第二绝缘结构和所述牺牲层中，形成第二开口，其中，所述第二开口暴露出所述牺牲层的侧壁； 至少在所述第一开口侧壁顶部的所述牺牲层的表面和所述第二开口侧壁的所述牺牲层的表面，形成保护层； 去除所述第一开口底部的所述牺牲层； 去除所述阵列区和所述外围区的保护层，以在所述阵列区和所述外围区分别形成第一接触孔和第二接触孔。
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