华虹半导体(无锡)有限公司方明旭获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245724.3，技术领域涉及：H10D8/25；该发明授权BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管是由方明旭;陈华伦设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管在说明书摘要公布了：本申请提供一种BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管，包括：N型埋层和P型埋层，位于P型衬底中，P型衬底上形成有P型外延层；P阱和N阱，位于N型埋层之上、P型外延层之中，P阱底部和N阱底部与N型埋层相接触；多个隔离部件；三个P型体区，位于P阱中，其中，位于中间的P型体区中形成有第一N+注入区，位于左右两侧的P型体区中形成有第一P+注入区；栅极结构，位于P阱的表面上；第二N+注入区，位于N阱中；第二P+注入区，位于P型埋层之上、P型外延层之中。通过增加第一P+注入区的注入类型或者调整栅极结构的特征尺寸来调控齐纳二极管的击穿电压，不影响同一BCD工艺平台制作的LDMOS器件的性能。
本发明授权BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管在权利要求书中公布了：1.一种BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管，其特征在于，所述齐纳二极管包括： N型埋层和P型埋层，所述N型埋层和所述P型埋层位于P型衬底中，所述P型衬底上形成有P型外延层； P阱和N阱，所述P阱和所述N阱位于所述N型埋层之上、所述P型外延层之中，所述P阱底部和所述N阱底部与所述N型埋层相接触； 多个隔离部件，所述多个隔离部件分布于所述P型外延层的表面； 三个P型体区，所述P型体区位于所述P阱中，其中，位于中间的P型体区中形成有第一N+注入区，位于左右两侧的P型体区中形成有第一P+注入区，所述第一N+注入区和所述位于中间的P型体区构成纵向齐纳二极管； 栅极结构，所述栅极结构位于所述P阱的表面上，通过增加所述第一P+注入区的注入类型或者调整所述栅极结构的特征尺寸来调控所述齐纳二极管的击穿电压； 第二N+注入区，位于所述N阱中； 第二P+注入区，位于所述P型埋层之上、所述P型外延层之中。
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