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龙图腾网获悉上海市农业科学院申请的专利一种检测CP4-EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器及其构建方法以及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211252934.5，技术领域涉及：G01N33/68；该发明授权一种检测CP4-EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器及其构建方法以及应用是由曾海娟;王金斌;张明昊设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种检测CP4-EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器及其构建方法以及应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种检测CP4‑EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器及其构建方法以及应用，包括以下步骤：S1，抗体的制备；S2，GN‑PAMAM‑g‑C3N4复合材料的制备；S3，电化学发光免疫传感器的构建。根据本发明，提出了一种基于氮掺杂石墨烯、石墨相氮化碳和聚酰胺‑胺复合材料的简单电化学发光免疫传感器，可用于检测转基因作物中的CP4‑EPSPS蛋白。当转基因大豆RRS含量在0.05％到1.5％之间时，免疫传感器的电化学反应是线性的。该电化学发光免疫传感器对转基因大豆RRS的检出限低至0.025％，同时该免疫传感器还表现出高特异性和令人满意的稳定性、重复性和准确性。

本发明授权一种检测CP4-EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器及其构建方法以及应用在权利要求书中公布了：1.一种检测CP4-EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器的构建方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，抗体的制备：用pH7.4，0.01molLPBS将抗体mAb稀释至0.3～0.8mgmL； S2，GN-PAMAM-g-C3N4复合材料的制备：将1～2mgGN固体样品分散在1.7mL的N，N-二甲基甲酰胺中，并在超声处理1～1.5小时后加入100～300μLg-C3N4溶液，继续超声处理2～3小时，然后在复合材料中加入10～30μL20％的PAMAM并再次超声1～1.5小时，获得GN-PAMAM-g-C3N4复合材料； S3，电化学发光免疫传感器的构建：采用氧化铝粉末对电极表面进行打磨，超纯水清洗，将3～5μL超声处理过的GN-PAMAM-g-C3N4复合材料滴加到清洗过的电极上，红外灯下烘烤干燥，将3～5μL5％的戊二醛溶液滴加到复合材料上反应30分钟来活化PAMAM中的氨基，反应结束后，用超纯水洗去多余的戊二醛溶液，再滴加3μL的抗体mAb，于室温下避光反应30～40分钟，再次清洗电极表面，并滴加5μL含5％BSA的PBS溶液反应30～40分钟，以封闭非特异性结合点，最后用PBS清洗，制得一种检测CP4-EPSPS蛋白的电化学发光免疫传感器。

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