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龙图腾网获悉北京科华微电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司申请的专利一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616860B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211258412.6，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法是由郑金红;孙嘉;房彩琴;陈崇明;李冰;陈欣;王文芳;董栋;张宁设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物，包括如下组分：聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂；聚合物包括聚合物A，聚合物A具有如式I所示的结构：式中，R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种；R2选自氢、甲基和乙基中的任一种；结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65～80mol％：20～35mol％。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点，在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。

本发明授权一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，由如下组分组成： 聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂； 所述聚合物包括聚合物A，所述聚合物A具有如式I所示的结构： 式中，R选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种； 选自氢、甲基和乙基中的任一种； 结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为80～65mol％：20～35mol％； 所述聚合物还包括聚合物B，所述聚合物B具有如式II所示的结构： 式中，R为叔烷基； 所述聚合物中，所述聚合物A的质量百分数为1％～15％； 所述含有苯基的化合物与所述聚合物的质量比为1～5：100； 所述光致产酸剂为硫鎓盐、碘鎓盐、N-亚胺磺酸酯、重氮甲烷类产酸剂和硝基苯磺酸盐类产酸剂中任一种； 所述含有苯基的化合物为9-羟甲基蒽、9,10-二甲氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽、9,10-二丁氧基蒽、苯甲酸叔丁酯和1,4-对二苯甲酸叔丁酯中的一种或多种； 所述深紫外化学放大正型光刻胶组合物的图案形成方法包括：将所述深紫外化学放大正型光刻胶组合物涂覆在基片上，干燥后，在曝光波长为245～250nm的光源下光刻成像。

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