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龙图腾网获悉福建钜能电力有限公司申请的专利一种HJT电池不良片的返工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110805663.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种HJT电池不良片的返工工艺是由庄辉虎;许海堂;林烟烟设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种HJT电池不良片的返工工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种HJT电池不良片的返工工艺，该返工工艺包含步骤：P1收集不良片进入专门返工的清洗机，去除表面薄膜，P2.将P1所得到的硅片进入清洗机重新制绒。该HJT电池不良片的返工工艺适用于已镀ITO、ATO或Cu等半导体或金属类膜层后产生的不良片的返工。首先使用盐酸和双氧水的混合溶液去除电池片表面薄膜及电池栅线；再使用硝酸和氢氟酸的混合液对非晶硅薄膜进行处理去除非晶硅膜层，再重新对硅片进行制绒得到返工后可重新投产的硅片。因此，该返工工艺有效解决了HJT电池生产中产生的多种不良片的返工问题；可对HJT电池不良片批量化生产，返工后A级良率可达到98％，且电池片效率与正常流程电池片相当；有效提高生产良率，节约＞50％以上硅片原材料成本。

本发明授权一种HJT电池不良片的返工工艺在权利要求书中公布了：1.一种HJT电池不良片的返工工艺，其特征在于：所述HJT电池不良片的返工工艺包含步骤： P1收集不良片进入专门返工的清洗机，去除表面薄膜，具体过程包含： P1.1水洗：用纯水进行水洗，洗去不良片表面杂质脏污； P1.2酸洗：用盐酸和双氧水的混合液对不良片进行酸洗，去除表面金属栅线、透明导电膜； P1.3水洗：用纯水进行水洗，洗去表面残留酸液； P1.4预清洗液洗：用氨水和双氧水混合液对不良片进行清洗，去除薄膜后残留的杂质脏污； P1.5水洗：用纯水进行水洗，洗去不良片表面溶液； P1.6CP酸洗：用硝酸和氢氟酸的混合溶液对不良片进行酸洗，去除非晶硅薄膜层； P1.7水洗：用纯水进行水洗，洗去不良片表面酸液，得到硅片； P1.8SC2液洗：用SC2液洗P1.7所得硅片，进一步去除残留物； P1.9水洗：用纯水进行水洗，洗去表面溶液； P1.10酸洗：用氢氟酸溶液对硅片进行酸洗，达到脱水目的； P1.11水洗：用纯水进行水洗，洗去表面酸液； P1.12慢提拉：用纯水进行慢提拉； P1.13烘干：将所得硅片进行烘干处理； P2.将P1所得到的硅片进入清洗机重新制绒；所述重新制绒温度为70-80℃,比常规制绒温度低5-10℃；重新制绒蚀刻量0.5g。

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