买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于ESD防护的低电容绑线结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211685681.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于ESD防护的低电容绑线结构是由齐钊;魏敬奇;乔明;陈泓全;张波设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于ESD防护的低电容绑线结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种利用钝化层介质的低电容绑线结构，包括：n型衬底；P型阱区；第一N+接触区；第二N+接触区；第一P+区；第二P+区；第一氧化层介质区；第二氧化层介质区；第三氧化层介质区；第一金属电极；第二金属电极；第一钝化层区；第二钝化层区；第三钝化层区；导电胶或焊锡区。本发明通过切除寄生电容上方的金属区域并在剩余的金属两端开口，通过后续打线的焊锡与金属相连，这样一来该器件焊盘金属区域的等效介质层厚度将成为了介质加上被视为介质层的钝化层的总厚度，从而大大降低电容，同时对工艺参数，器件面积，电流能均力无影响。

本发明授权一种用于ESD防护的低电容绑线结构在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD防护的低电容绑线结构，其特征在于包括：n型衬底01；在n型衬底01表面从左至右注入依次得到第一N+接触区11、第一P+区21和P型阱区02；在P型阱区02内部表面注入得到第二N+接触区12和第二P+区22；在n型衬底01表面生长氧化层介质并且在第一P+区21和第二N+接触区12上方开孔，使得氧化层介质被分为三个部分，从左至右分别为：第一氧化层介质区31、第二氧化层介质区32和第三氧化层介质区33；在氧化层介质上淀积金属并且切除掉位于第二氧化层介质32上方中部的一段金属，剩余的两部分金属从左至右分别为第一金属电极41和第二金属电极42，使第一金属电极41的右端覆盖第二氧化层介质区32的部分左上表面，使得第二金属电极42的左端覆盖第二氧化层介质区32的部分右上表面；在氧化层介质及金属电极上方生长钝化层并且在第一金属电极41、第二金属电极42上方开孔，使得钝化层被分为三个部分，从左至右分别为：第一钝化层区51、第二钝化层区52和第三钝化层区53；第一钝化层区51位于第一金属电极41上方，第二钝化层区52填充于第二氧化层介质区32上被切掉金属后形成的空隙中，第三钝化层区53位于第二金属电极42上方，导电胶或焊锡区06涂附或焊接在钝化层上方且覆盖金属电极的开孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。