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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110989759.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由姜长城;陈卓凡;张海洋设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底和衬底上的鳍部结构；位于衬底上的栅极结构、鳍部结构内的源漏掺杂区和第一介质层，栅极结构横跨鳍部结构且位于第一介质层内；位于第一介质层上的第二介质层，第二介质层内具有若干第一开口；位于第一开口内的第一导电结构，第一导电结构包括位于第一开口侧壁和底部的阻挡层和位于阻挡层表面的导电层，阻挡层的顶部表面低于导电层的顶部表面；位于第二介质层和第一导电结构上的第三介质层；位于第三介质层内的暴露出第一导电结构顶部表面的第二开口；位于第二开口底部的暴露出阻挡层顶部表面和部分导电层侧壁表面的第三开口；位于第三开口内和第二开口内的电连接层。所述半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有鳍部结构； 位于衬底上的栅极结构以及位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏掺杂区，所述栅极结构横跨所述鳍部结构； 位于衬底上的第一介质层，所述栅极结构位于第一介质层内； 位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层和第一介质层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分源漏掺杂区表面； 位于第一开口内的第一导电结构，所述第一导电结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的阻挡层和位于阻挡层表面的导电层，所述阻挡层的顶部表面低于所述导电层的顶部表面，所述阻挡层暴露出部分所述导电层的侧壁表面； 位于第二介质层和第一导电结构上的第三介质层； 位于第三介质层内的第二开口，所述第二开口暴露出所述第一导电结构顶部表面； 位于第二开口底部的第三开口，所述第三开口暴露出所述阻挡层顶部表面和部分导电层侧壁表面； 位于第三开口内和第二开口内的电连接层，所述电连接层位于所述第一导电结构上。

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