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龙图腾网获悉西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司申请的专利GCT芯片阴极梳条修理工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310041049.0，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权GCT芯片阴极梳条修理工艺方法是由高山城;赖贵森;谢永泉;刘玲设计研发完成，并于2023-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本GCT芯片阴极梳条修理工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及GCT芯片梳条修理工艺方法，先在梳条上蒸一层铝层A，提高梳条与门极区的纵向高度，增加纵向阴极梳条与门极区隔离间隔。然后在梳条和门极区同时再蒸一层铝层B，提高了门极区和梳条图形加工质量，有利于提高芯片的性能；给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层；然后针对极个别不合格梳条，除了铲除铝层外，还增加了研磨该梳条的工艺方法，使该梳条高度与门极区电极铝层相平；之后在不合格梳条上涂绝缘保护材料，绝缘该梳条，使之不与阴极钼片接触，屏蔽该失效梳条带来的负面影响。使用该工艺方法可以挽救大量芯片，使成品率显著提高。实践还证明，芯片性能未受影响情况下，使用本发明成品率至少提高30％。

本发明授权GCT芯片阴极梳条修理工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：掺杂完Si芯片为基础，依次经过下列步骤： 1首先给梳条1蒸一层铝层A5，目的是提高梳条1与门极区2之间的纵向高度； 2同时给门极区2和梳条1再蒸一层铝层B6，经光刻刻蚀技术将门极区2铝层和阴极梳条1铝层间环形PN结3刻蚀出来，形成门极区2铝层和阴极梳条1铝层隔离间隔，并形成门极区电极铝层B6和阴极梳条1电极铝层A5+铝层B6； 3给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4，经光刻技术，刻蚀出集成门极G电极、阴极梳条1电极，将阴极梳条1铝层和集成门极铝层G裸露，其余部分则被光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4覆盖，并使光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4保护门阴极环形PN结3和门极区铝层B6，一方面保护门阴极环形PN结3表面绝缘于外界，另一方面使门极区铝层B6与阴极梳条1铝层A5+铝层B6纵向上除高度差悬空而隔离外，还增加了一层绝缘保护材料层的隔离，更进一步增强了纵向隔离效果； 4打点测试每一个梳条1的阻断和导通特性，并标出不合格梳条8，给不合格梳条8去铝层A5和铝层B6，研磨不合格梳条8的硅高度,使该不合格梳条8的高度与蒸铝前门极区高度相平； 5在去掉铝层和研磨掉硅的不合格梳条8上涂光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4； 至此，完成了GCT芯片阴极梳条修理工艺。

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