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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利具有高写噪声容限的MOSFET-TFET混合型11T-SRAM单元电路、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310039992.8，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权具有高写噪声容限的MOSFET-TFET混合型11T-SRAM单元电路、模块是由卢文娟;于天祺;周子璇;刘立;强斌;刘念龙;吴秀龙设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高写噪声容限的MOSFET-TFET混合型11T-SRAM单元电路、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高写噪声容限的MOSFET‑TFET混合型11T‑SRAM单元电路，和采用了该种11T‑SRAM单元电路布局的模块。本发明的11T‑SRAM单元电路充分利用了低电压下TFET晶体管具有更好开关特性和更低的亚阈值摆幅的优势，采用了打断锁存结构的方式，提高了单元的写噪声容限；采用漏极电压始终不低于源极电压的NTFET晶体管作为传输控制管，不仅提高了SRAM单元的写能力，而且消除了TFET器件的正向偏置电流，降低了单元的静态功耗。

本发明授权具有高写噪声容限的MOSFET-TFET混合型11T-SRAM单元电路、模块在权利要求书中公布了：1.具有高写噪声容限的MOSFET-TFET混合型11T-SRAM单元电路，其特征在于，包括： PTFET晶体管P1，P1的源极电连接电源VDD； PTFET晶体管P2，P2的源极电连接电源VDD； PTFET晶体管P3，P3的源极与P1的漏极电连接，P3的漏极与P2的栅极电连接，P3的栅极电连接写控制信号LEN； PTFET晶体管P4，P4的源极与P2的漏极电连接，P4的漏极与P1的栅极电连接，P4的栅极电连接写控制信号REN； NTFET晶体管N1，N1的源极与地线GND电连接，N1的栅极与P4的漏极电连接； NTFET晶体管N2，N2的源极与N1的漏极电连接，N2的漏极与读位线RBL电连接，N2的栅极与读字线RWL电连接； NTFET晶体管N3，N3的源极与地线GND电连接，N3的漏极与P3的漏极电连接并设置有存储节点Q，N3的栅极与P1的栅极电连接； NTFET晶体管N4，N4的源极与地线GND电连接，N4的漏极与P4的漏极电连接并设置有存储节点QB，N4的栅极与P2的栅极电连接； NTFET晶体管N5，N5的源极与地线GND电连接，N5的栅极与写字线WL电连接； NMOS晶体管NM1，NM1的源极与N5的漏极电连接，NM1的漏极与P3的漏极电连接，NM1的栅极与写位线BL电连接；以及 NMOS晶体管NM2，NM2的源极与N5的漏极电连接，NM2的漏极与P4的漏极电连接，NM2的栅极与写位线BLB电连接； 在保持状态下，写字线WL、读字线RWL为低电平，写位线BL、BLB为低电平，N2、N5、NM1、NM2关闭，写控制信号LEN、REN为低电平，P3、P4导通，使锁存结构处于锁存状态。

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