江西兆驰半导体有限公司舒俊获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利紫外发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310171948.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权紫外发光二极管及其制备方法是由舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法，所述紫外发光二极管包括衬底及依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层，以及设于所述N型半导体层上的N电极和设于所述P型接触层上的P电极；所述P型接触层包括依次层叠于所述P型半导体层上的多孔AlxGa1‑xN层和P型GaN层。本发明提供的紫外发光二极管在兼顾良好的P型欧姆接触的同时，可减少P型材料的面内全反射及吸光损耗，有利于提高紫外发光二极管的光提取效率。
本发明授权紫外发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层，以及设于所述N型半导体层上的N电极和设于所述P型接触层上的P电极； 所述P型接触层包括依次层叠于所述P型半导体层上的多孔AlxGa1-xN层和P型GaN层，其中，x≤0.4，所述多孔AlxGa1-xN层上设有孔洞，所述P型GaN层的GaN材料填充所述孔洞以使所述多孔AlxGa1-xN层和P型GaN层无间隙层叠。
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