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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种柔性显示集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314237B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310064065.1，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种柔性显示集成器件及其制备方法是由任开琳;王浩宇;张建华;冯雪葳;殷录桥设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性显示集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种柔性显示集成器件及其制备方法，涉及功率半导体领域，该器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层；缓冲层和n型GaN层均为凸行结构；第一钝化层覆盖在自下而上依次设置的整体的上方，薄膜沟道层覆盖在第一钝化层顶端的上方，第二钝化层覆盖在第一钝化层和薄膜沟道层构成的整体的上方；阴极的顶部被第二钝化层覆盖，底部与n型GaN层连接；源极阳极的顶部被薄膜沟道层覆盖，底部与p型GaN层连接，漏极的顶端被薄膜沟道层覆盖，底端与第一钝化层的上表面连接；栅极位于源极阳极和漏极之间，栅极位于第二钝化层的上表面，本发明降低了制造工艺的难度。

本发明授权一种柔性显示集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性显示集成器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层，所述柔性显示集成器件还包括第一钝化层、薄膜沟道层、第二钝化层、源极阳极、栅极、漏极和阴极； 所述缓冲层为上表面有凸起的凸行结构，所述n型GaN层的下表面与所述缓冲层为上表面重合，所述n型GaN层为上表面有凸起的凸行结构，所述多量子阱层的下表面与所述n型GaN层的上表面重合，所述p型GaN层的下表面与所述多量子阱层的上表面重合； 所述第一钝化层用于覆盖在所述缓冲层、所述n型GaN层、所述多量子阱层和所述p型GaN层构成的整体的上方，所述薄膜沟道层覆盖在所述第一钝化层顶端的上方，所述第二钝化层用于覆盖在所述第一钝化层和所述薄膜沟道层构成的整体的上方；所述阴极位于所述n型GaN层上表面上凹陷的一侧，所述阴极贯穿所述第一钝化层，所述阴极的顶部被所述第二钝化层覆盖，所述阴极的底部与所述n型GaN层连接；所述源极阳极位于所述p型GaN层的上方，所述源极阳极贯穿所述第一钝化层，所述源极阳极的顶部被所述薄膜沟道层覆盖，所述源极阳极的底部与所述p型GaN层连接，所述漏极位于所述第一钝化层的上方，所述漏极的顶端被所述薄膜沟道层覆盖，所述漏极的底端与所述第一钝化层的上表面连接；所述栅极位于所述源极阳极和所述漏极之间，所述栅极位于所述第二钝化层的上表面。

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