天狼芯半导体(成都)有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利带隙基准芯片及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310082287.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权带隙基准芯片及其制备方法、电子设备是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本带隙基准芯片及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种带隙基准芯片及其制备方法、电子设备，该带隙基准芯片包括：P型硅层、N型硅层、N型碳化硅层、多个P型掺杂区、阳极金属层、阴极金属层，通过P型硅层和N型硅层形成具有负温度系数的PN结，然后由N型碳化硅层、多个P型掺杂区、阳极金属层形成具有正温度系数的肖特基结，从而由PN结和肖特基结串联互相抵消其温度特性，改善现有的二极管结构的通态压降对温度的依赖性，实现稳压电路的精准性。
本发明授权带隙基准芯片及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准芯片，其特征在于，所述带隙基准芯片包括： P型硅层； N型硅层，形成于所述P型硅层的背面；所述P型硅层与所述N型硅层形成负温度系数的PN结； N型碳化硅层，形成于所述P型硅层的正面； 多个P型掺杂区，形成于所述N型碳化硅层的正面；所述P型掺杂区通过在N型碳化硅层的正面的指定区域注入P型掺杂离子形成； 阳极金属层，形成于所述N型碳化硅层的正面，并与所述N型碳化硅层之间形成肖特基接触；所述N型碳化硅层、多个所述P型掺杂区、所述阳极金属层形成具有正温度系数的肖特基结； 阴极金属层，形成于所述N型硅层的背面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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