南开大学刘玮获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利太阳电池中的NiOx空穴传输层及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211724662.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳电池中的NiOx空穴传输层及其制备方法、应用是由刘玮;杨旭东;赵俊峰;张仲卿;马静怡设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳电池中的NiOx空穴传输层及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳电池中的NiOx空穴传输层的制备方法，包括：将晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空反应腔室中，并将晶硅衬底加热至反应温度；向真空反应腔室中通入反应气体，反应气体中氧流量呈线性速率变化，以在晶硅衬底的一侧生长带隙渐变的NiOx空穴传输层；其中，NiOx空穴传输层的带隙自太阳电池中的透明导电层向晶硅衬底的方向逐渐升高，透明导电层位于NiOx空穴传输层远离晶硅衬底的一侧，以使NiOx空穴传输层靠近透明导电层一侧的能带与透明导电层的能带匹配，且NiOx空穴传输层靠近晶硅衬底一侧的能带与晶硅衬底的能带匹配。本发明制备得到的NiOx空穴传输层应用在太阳电池中，有利于提升太阳电池的短路电流密度和填充因子。
本发明授权太阳电池中的NiOx空穴传输层及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池中的NiOx空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括： 将晶硅衬底4置于磁控溅射设备的真空反应腔室中，并将所述晶硅衬底4加热至反应温度； 向所述真空反应腔室中通入反应气体，所述反应气体中氧流量呈线性速率变化，以在所述晶硅衬底4的一侧生长带隙渐变的NiOx空穴传输层5； 其中，所述NiOx空穴传输层5的带隙自太阳电池中的透明导电层6向所述晶硅衬底4的方向逐渐升高，所述透明导电层6位于所述NiOx空穴传输层5远离所述晶硅衬底4的一侧，以使所述NiOx空穴传输层5靠近所述透明导电层6一侧的能带与所述透明导电层6的能带匹配，且所述NiOx空穴传输层5靠近所述晶硅衬底4一侧的能带与所述晶硅衬底4的能带匹配。
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