应用材料公司杨传曦获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116324022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180070005.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法是由杨传曦;H·俞;Y·杨;C·Y·王;A·邱;韩新海;S·G·卡马斯;D·帕德希设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法在说明书摘要公布了：半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。
本发明授权用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 将多个前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中，其中所述多个前驱物包括SiH4前驱物、N2前驱物和双原子氢，其中基板被容纳在所述半导体处理腔室的所述处理区域中； 形成所述SiH4前驱物、所述N2前驱物和所述双原子氢的等离子体，其中所述等离子体在15MHz以上的频率下形成；以及 将氮化硅材料沉积在所述基板上, 其中硅-氢键密度与硅-氮键密度的比率作为所述双原子氢的流动速率的函数而增加，并且氮-氢键密度与所述硅-氮键密度的比率作为所述双原子氢的所述流动速率的函数而降低。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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