西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司潘浩获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种制造单晶硅棒的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310342680.4，技术领域涉及：C30B15/26；该发明授权一种制造单晶硅棒的装置及方法是由潘浩;全铉国设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制造单晶硅棒的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种制造单晶硅棒的装置及方法，所述装置包括：第一测量模块、第二测量模块、处理器，其中，所述第一测量模块配置成用于获取单晶硅棒在熔体固液界面上方预定距离处的第一直径；所述第二测量模块配置成用于获取所述单晶硅棒在所述熔体固液界面处的第二直径；所述处理器配置成用于根据所述第一直径校准所述第二测量模块的设置参数，并且还配置成用于当经校准的所述第二测量模块获取的所述第二直径超出目标范围时，根据所述第二直径调节提拉速度和或温度梯度，以使所述第二直径保持在所述目标范围内。
本发明授权一种制造单晶硅棒的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种制造单晶硅棒的装置，其特征在于，所述装置包括：第一测量模块、第二测量模块、处理器，其中， 所述第一测量模块配置成用于获取单晶硅棒在熔体固液界面上方预定距离处的第一直径； 所述第二测量模块配置成用于获取所述单晶硅棒在所述熔体固液界面处的第二直径； 所述处理器配置成用于根据所述第一直径校准所述第二测量模块的设置参数，并且还配置成用于当经校准的所述第二测量模块获取的所述第二直径超出目标范围时，根据所述第二直径调节提拉速度和或温度梯度，以使所述第二直径保持在所述目标范围内， 所述第二测量模块还配置成在经校准前获取所述单晶硅棒在所述熔体固液界面处的第三直径，其中，所述第一直径和所述第三直径为所述单晶硅棒的同一部分的直径； 所述处理器配置成对比所述第一直径和所述第三直径，并且配置成如果所述第一直径与所述第三直径的差值超出设定阈值，校准所述第二测量模块的所述设置参数；或者如果所述差值未超出设定阈值，则对所述第二测量模块的所述设置参数的校准值为零。
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