上海华力集成电路制造有限公司蔡彩伶获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利环形振荡器的测试电路及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116338407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310240078.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权环形振荡器的测试电路及其使用方法是由蔡彩伶;汪雪娇;马康;李新明;石晶;刘巍设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本环形振荡器的测试电路及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种环形振荡器RO的测试电路，在现有的环形振荡器设计规则中，同一个反相器中的NMOS管与PMOS管通常为相同阈值电压水平的MOS场效应管，本发明灵活运用测试键设计规则和逻辑运算，设计混合NMOS与PMOS阈值电压类型MixedVt的环形振荡器。本发明可以实现在一片晶圆内进行NMOS与PMOS的饱和电流比对环形振荡器直流性能的影响的探究，解决不同晶圆之间差异产生的测量误差的问题；可以得到更多组的试验设计，节约了生产资源，降低了研发成本，提高了测试效率。
本发明授权环形振荡器的测试电路及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种环形振荡器的测试电路，其特征在于，包括： 环形振荡器，所述环形振荡器由x个反相器首尾相连组成，x为大于等于三的奇数； 每个所述反相器由一NMOS管和一PMOS管组成； 其中，所述NMOS管与所述PMOS管均包括n种类型的阈值电压，n为大于一的整数； 所述环形振荡器中的所述NMOS管的阈值电压为从所述n种类型的阈值电压中选择的第一类型，所述PMOS管中的阈值电压为从所述n种类型的阈值电压中选择的第二类型，所述环形振荡器的所述NMOS管、所述PMOS管的阈值电压组合方式包括n*n种。
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