世界先进积体电路股份有限公司华特·吴获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582957.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由华特·吴;林鑫成;黄嘉庆设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包含绝缘层、半导体层和化合物半导体叠层依序设置于基底上，以及第一晶体管、第二晶体管、隔离结构和导电结构。第一晶体管位于第一元件区内，且包含第一栅极、第一源极和第一漏极设置于化合物半导体叠层上，第二晶体管位于第二元件区内，且包含第二栅极、第二源极和第二漏极设置于化合物半导体叠层上，隔离结构设置于第一晶体管和第二晶体管之间，导电结构位于第二元件区内，贯穿化合物半导体叠层，且电连接半导体层至第二源极，其中位于第一元件区内的半导体层与第一源极之间不具有电性连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一绝缘层、一半导体层和一化合物半导体叠层，依序设置于一基底上； 一第一晶体管，位于一第一元件区内，且包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极设置于所述化合物半导体叠层上，所述第一晶体管为高压开关元件； 一第二晶体管，位于一第二元件区内，且包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极设置于所述化合物半导体叠层上，所述第二晶体管为低压开关元件，所述第二源极电连接至接地节点，且所述第二漏极电连接所述第一源极； 一隔离结构，设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间；以及 一导电结构，位于所述第二元件区内，贯穿所述化合物半导体叠层，且电连接所述半导体层至所述第二源极； 其中位于所述第一元件区内的所述半导体层与所述第一源极之间不具有电性连接。
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