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龙图腾网获悉北京汇芯通电子科技有限公司申请的专利一种宽频带高线性混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116800207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310876316.6，技术领域涉及：H03D7/14；该发明授权一种宽频带高线性混频器是由牛海昆设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽频带高线性混频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于射频收发机集成电路的宽带高线性混频器。本发明依次包括跨导级、开关级、负载级、输出级。所述宽带高线性混频器整体采用折叠双平衡架构，降低对供电电压的要求；所述跨导级采用PMOS差分输入对结构，利用源级电感负反馈效应提升跨导级的三阶交调积以及工作宽带；开关级采用共源共栅输入技术提升端口隔离度，改善二阶交调现象，利用谐振技术提升线性度；负载级采用长沟道有源晶体管实现高增益；输出级采用共源放大器结构增加对后级电路的驱动能力。本发明具有支持工作频带宽、高线性的特点，能够用于导航收发机、卫星通信收发机、蓝牙收发机等无线通信射频集成电路中。

本发明授权一种宽频带高线性混频器在权利要求书中公布了：1.一种宽频带高线性的混频器，其特征在于，包括跨导级、开关级、负载级、输出级； 所述跨导级包括PMOS管MP1、MP2、MP3，电感L1、L2、L3、L4； 所述开关级包括NMOS管MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，电容C1、C2、C3、C4，电感L5、L6；所述的NMOS管MN3栅极与电阻R1左端相连接，漏极与电感L5左端和NMOS管MN5、MN6的源极相连接，NMOS管MN4栅极与电阻R2右端相连接，漏极与电感L6右端和NMOS管MN7、MN8的源极相连接，电阻R1右端、R2左端均与偏置电压VB6相连接，电感L5右端与电感L6左端相连接，NMOS管MN5栅极与电容C1上极板、电阻R3下端相连接； 所述负载级包括PMOS管MP4、MP5，电阻R7、R8，所述的PMOS管MP1源极与电源相连接，栅极与偏置电压VB1相连接，漏极分别与电感L1右端、L2左端相连接，PMOS管MP2源极与电感L1左端相连接，栅极与输入电压VIN+相连接，漏极与电感L3上端和NMOS管MN4源极相连接，PMOS管MP3源极与电感L2右端相连接，栅极与输入电压VIN-相连接，漏极与电感L4上端和NMOS管MN3源极相连接，电感L3、L4下端与地相连接； 所述输出级包括PMOS管MP6、MP7，NMOS管MN9，MN10，电阻R9、R10。

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