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龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116953462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310856132.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法是由郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。本发明依据辐射损伤物理机理提出参数退化方程，退化方程中的参数具有明确物理意义，模型拟合中参数调整范围明确，构建模型更易收敛，精度更高。

本发明授权一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，总剂量辐射效应晶体管构建： 鳍式场效应晶体管包括原生晶体管和寄生晶体管；所述寄生晶体管包括栅端、漏端、源端、衬底4个端口，且与原生晶体管的栅端、漏端、源端、衬底4个端口对应短接； 步骤2，寄生晶体管沟道电流方程构建： 寄生晶体管沟道电流IDpara为流过寄生晶体管漏D1端的电流；寄生晶体管沟道电流IDpara方程如下： 式1中，Weff为寄生晶体管的有效宽度，Vd1s1为寄生晶体管的漏源电压差，Cox为寄生晶体管的栅氧化物电容，ueff为寄生晶体管沟道载流子迁移率，Leff为晶体管的有效长度，Vg1s1teff为寄生晶体管栅极有效电压，Abulk为体电荷因子，Vt为热电压，Vd1s1eff为寄生晶体管的有效漏源电压差，a、b为拟合参数； 步骤3，开展总剂量辐射效应试验： 采用γ射线辐照装置或者X射线辐照装置，鳍式场效应晶体管实施总剂量辐照试验，得到转移特性曲线； 步骤4，模型参数提取： 进行仿真计算，仿真结果与步骤3得到的转移特性曲线进行对比； 调整步骤2寄生晶体管沟道电流方程构建中寄生晶体管沟道电流IDpara的相关参数：Weff、Cox、Vg1s1teff、a和或b，使转移特性曲线的试验结果与仿真结果一致； 得到试验结果与仿真结果一致的模型参数Weff、Cox、Vg1s1teff、a、b。

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