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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种氧化物基梯度多相纳米复合涂层及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311194389.3，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种氧化物基梯度多相纳米复合涂层及制备方法是由杨俊峰;左黎;张临超;谢卓明;许依春;刘瑞;王先平;吴学邦;刘长松设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化物基梯度多相纳米复合涂层及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于表面工程技术领域，具体涉及一种氧化物基梯度多相纳米复合涂层及其制备方法。该复合涂层包括依次设置的Cr‑Al‑Si层、Cr‑Al‑Si‑N层和xAl2O3‑yCr2O3‑zSiO2‑kY2O3‑iEr2O3层，所述xAl2O3‑yCr2O3‑zSiO2‑kY2O3‑iEr2O3层是由Al2O3，Cr2O3，SiO2，Y2O3，Er2O3相组成的纳米多相复合层，各相之间的摩尔比为x:y:z:k:i，其中0x,y,z,k,i0.4，x+y+z+k+i＝1。该涂层在真空环境下，分别利用脉冲多弧离子镀和射频磁控溅射相应涂层得到。本发明涂层具有高结合强度、高硬度、高阻氢因子和高太阳能吸收率、低太阳能发射率的特点，性能优异，能够极大改善基层材料因氢渗透导致的性能恶化问题。

本发明授权一种氧化物基梯度多相纳米复合涂层及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物基梯度多相纳米复合涂层，其特征在于，包括依次设置的Cr-Al-Si层、Cr-Al-Si-N层和xAl2O3-yCr2O3-zSiO2-kY2O3-iEr2O3层，所述Cr-Al-Si层中，Cr、Al、Si的原子比为70~100:0~100:0~30，所述Cr-Al-Si-N层中，Cr、Al、Si、N的原子比为35~50:0~20:0~8:30~50，且所述Cr-Al-Si层和Cr-Al-Si-N层中，Cr、Al、Si、N的原子比均不为0或100；所述xAl2O3-yCr2O3-zSiO2-kY2O3-iEr2O3层是由Al2O3，Cr2O3，SiO2，Y2O3，Er2O3组成的纳米多相复合层，所述Al2O3，Cr2O3，SiO2，Y2O3，Er2O3之间的摩尔比为x:y:z:k:i，其中0x,y,z,k,i0.4，x+y+z+k+i=1； 氧化物基梯度多相纳米复合涂层的制备方法为，在真空环境下，先利用脉冲多弧离子镀进行脉冲偏压沉积，在基底上依次沉积所需厚度的Cr-Al-Si层和Cr-Al-Si-N层，得到Cr-Al-SiCr-Al-Si-N层，再利用射频磁控溅射在Cr-Al-SiCr-Al-Si-N层上沉积所需厚度的Al2O3、Cr2O3、SiO2、Y2O3、Er2O3层；溅射完成后，制备的涂层在真空环境下自然冷却，得到所需的氧化物基梯度多相纳米复合涂层； 包括以下步骤： S1.清洁并安装衬底和所需靶材，调整靶材和基片距离为80~120mm后，对衬底和靶材进行溅射清洗； S2.打开偏压电源和脉冲多弧溅射电源，设定偏压为-200V，多弧靶溅射电流为50~100A，控制溅射时间1~5min，在衬底上制备所需厚度的Cr-Al-Si薄膜； S3.通入氮气，设定氮气流量为40~100sccm，控制工作气压为0.5~1.0Pa，设定多弧靶溅射电流为100~150A、偏压为-200V，控制溅射时间3~10min，在Cr-Al-Si薄膜上制备所需厚度的Cr-Al-Si-N薄膜，得到Cr-Al-SiCr-Al-Si-N薄膜； S4.关闭氮气，通入氧气，设定氧气流量为5~15sccm，控制工作气压为0.5~1.2Pa，控制偏压为-200V，同时打开Al2O3，Cr2O3，SiO2，Y2O3，Er2O3靶材的射频磁控溅射电源，设定输入功率为60~120W，溅射时间为2~3h，在Cr-Al-SiCr-Al-Si-N薄膜上溅射Al2O3、Cr2O3、SiO2、Y2O3、Er2O3多相复合涂层； S5.关闭溅射和加热电源，停止通气，在分子泵抽真空的条件下降温至100℃以下，关闭分子泵，自然真空下冷却到室温，得到所需的氧化物基梯度多相纳米复合涂层。

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