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龙图腾网获悉无锡京运通科技有限公司申请的专利一种用于单晶硅片切割加工的硅粉收集处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117067413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310894881.5，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种用于单晶硅片切割加工的硅粉收集处理装置是由朱仁德设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于单晶硅片切割加工的硅粉收集处理装置在说明书摘要公布了：本发明公开了用于单晶硅片切割加工的硅粉收集处理装置及方法，具体涉及硅粉收集装置领域，包括切割工作台、切割机和硅粉收集箱，硅粉收集箱连通设在切割工作台的一侧，切割工作台的顶部和底部内壁上分别设置有向下弯折的第一导流板和向上弯折的第二导流板，硅粉收集箱的内部固定连接有支撑架，支撑架的内壁转动连接有传动转辊，传动转辊的两端分别连接有旋转电机和抽吸泵，抽吸泵用于抽吸切割工作台内切割单晶硅片产生的硅粉，硅粉收集箱的顶部和底部分别固定连接有储液箱和储尘箱，最终使挡尘板上的硅粉落入储尘箱内，解决了工作人员每次都需要将硅粉收集装置拆开才能够取出硅粉以及避免硅粉收集过程中被切割带来的电火花或热量所引爆的问题。

本发明授权一种用于单晶硅片切割加工的硅粉收集处理装置在权利要求书中公布了：1.用于单晶硅片切割加工的硅粉收集处理装置，包括用于放置待切割单晶硅片的切割工作台1、固定于所述切割工作台1内部的切割机2和前后镂空板材的硅粉收集箱3，所述硅粉收集箱3连通设置在所述切割工作台1右侧，其特征在于，所述切割工作台1的顶部和底部内壁上分别设置有向下弯折的第一导流板101和向上弯折的第二导流板102，所述硅粉收集箱3内部设置有支撑架4；所述支撑架4的内壁转动连接有传动转辊5，所述传动转辊5的右端转动连接有旋转电机6，所述传动转辊5的左端设置有抽吸泵501，所述抽吸泵501在被开启时用于抽吸切割工作台1内切割单晶硅片产生的硅粉，所述硅粉收集箱3的顶部和底部分别固定连接有储液箱26和储尘箱17，所述硅粉收集箱3顶部底端设置有温度传感器、气体密度传感器和超声波传感器，所述储液箱26的底部连通设有两个排液管27，所述硅粉收集箱3的顶部下端固定连接有透气管28，所述透气管28的内部底端设有顶撑气缸29，所述切割机2、所述抽吸泵501、所述旋转电机6以及顶撑气缸29、所述温度传感器、所述气体密度传感器和所述超声波传感器均与单片机远程通信连接，单片机用于根据被抽吸至硅粉收集箱3内的硅粉混合空气的气体密度实时控制顶撑气缸29向上运动的同时停止所述切割机2、所述抽吸泵501和所述旋转电机6以及所述切割机2、所述抽吸泵501和所述旋转电机6的重新开启的同时停止顶撑气缸29回复至初始位置，以收集单晶硅片切割加工时的硅粉至储尘箱17内； 所述单片机实时控制顶撑气缸29、所述切割机2、所述抽吸泵501和所述旋转电机6的启闭方法，包括以下步骤： 1、采用所述气体密度传感器监测所述硅粉收集箱3内的实时硅粉混合气体密度ρ，采用所述温度传感器监测所述硅粉收集箱3实时温度T以及采用所述超声波传感器实时监测混有硅粉的空气的硅粉混合气体颗粒的极坐标系内的r轴实时运动速度、θ轴实时运动速度和z轴实时运动速度； 2、构建所述硅粉收集箱3内的气体粘滞饱和模型： ； 其中，为硅粉混合气体颗粒的实时运动速度向量，为的模，，为硅粉混合气体粘滞量；为梯度算子，c为空气比热容；t为所述步骤1中采集数据的实时时刻； 所述步骤2构建的模型用以求取避免含有硅粉的空气由于所述切割机2切割单晶硅片产生的热量的加热以及密度的增大而导致硅粉收集箱3爆炸的情况发生的最大硅粉混合气体密度； 3采用粒子群优化算法不断优化求得的最大硅粉混合气体密度，粒子群优化过程中第i个最大硅粉混合气体密度的更新速率为： ； 其中，为第i-1个最大硅粉混合气体密度的更新速率；为第一学习因子，为第二学习因子，=1.5，=2；N为采用粒子群优化算法优化最大硅粉混合气体密度的样本数量； 以更新速度更新得到的第i+1个最大硅粉混合气体密度的值为； 4构建求取的最大硅粉混合气体密度的最优值的粒子寻优收敛值计算模型： ； 其中，λ为采集到的N个最大硅粉混合气体密度的平均值，=； 5判断所述步骤4求取的粒子寻优收敛值是否大于0.86，若大于，则输出求取的最大硅粉混合气体密度的最优值，否则重复所述步骤1-步骤4，继续更新迭代； 6判断所述5步骤求取的最大硅粉混合气体密度的最优值是否大于硅粉引爆临界值100，若是，则控制顶撑气缸29开启，同时控制切割机2、抽吸泵501和旋转电机6停止。

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