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龙图腾网获悉成都汇通西电电子有限公司申请的专利一种铌镁酸铅-锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117125980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311088274.6，技术领域涉及：H10N30/853；该发明授权一种铌镁酸铅-锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料及制备方法是由杜文艺;胡汇明;马磊设计研发完成，并于2023-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌镁酸铅-锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铌镁酸铅‑锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料及制备方法，该压电陶瓷由PbO、TiO2、ZrO2、Nb2O5、MgCO3等组份和La、Sm、Sr、Cr、Ba等微量元素组成，其中还有少量SiO2和Al2O3。本发明通过固溶和离子掺杂复合的方式，从构效关系对压电陶瓷进行改性，并结合多次反复烧结和真空蒸镀等先进工艺，优化压电陶瓷的压电性能、高温稳定性和机械性能。该压电陶瓷具有高的压电系数d33＞850PCN、介电常数εr＞5100和机电耦合系数kp＞0.71，同时获得了较高的居里温度210℃和机械性能。本发明的压电陶瓷综合性能优良，应用前景较大，可广泛用于高性能压电器件的制备。

本发明授权一种铌镁酸铅-锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌镁酸铅-锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，铌镁酸铅-锆钛酸铅基的高性能压电陶瓷材料，其化学通式如下： 1-xPbMg13Nb23O3-xPbZryTi1-yO3-awt.%LadSmeSrfCrgBahO3-bwt.%SiO2-cwt.%Al2O3 其中：0.5＜x＜0.8，0.3＜y＜0.8，0＜a＜5，0＜b＜0.5，0＜c＜0.5，0＜d＜1，0＜e＜1，0＜f＜1，0＜g＜1，0＜h＜1；包括以下步骤： S1：一次球磨，按化学计量比称取各原料，建立粉碎介质球尺寸分布、搅拌速度和时间参数，保证超细粉体具有一定颗粒尺寸分布，得到初次球磨料； S2：预烧，将步骤S1得到的球磨料，烘干后放入坩埚中进行预烧，得到预烧料； S3：二次球磨，将步骤S2的预烧料，粉碎研磨过筛，加去离子水球磨，得到二次球磨料； S4：压制成型，将所述二次球磨料烘干后，加入塑化剂采用可控的超细粉体喷雾造粒技术，控制造粒粉体颗粒的微观形貌和粒径，通过干压和等静压结合的方式，得到生坯； S5：烧结成瓷，先将步骤S4得到的坯体进行中温排塑，排塑后的坯体采用高温多次反复烧结，得到性能优良的陶瓷坯体； S6：制作电极并进行极化，将步骤S5制备得到的陶瓷坯体，通过机械加工，将陶瓷两个大面磨平后，采用真空蒸镀复合电极层的方法制作电极层；上电极后将其置于硅油中先进行高温极化，然后放置在高、低温环境中老化，最后在室温下静置，得到符合性能要求的压电陶瓷； 所述步骤S2中，得到初次球磨料烘干温度为120-130℃，烘干时间18-24小时，预烧过程升温速率为3-5℃min，在800-900℃下保温2-3小时； 所述步骤S3中，筛网目数为80-100目，磨球为氧化锆，球径级数大、中、小比为1:2:1或1:3:1或1:4:1，分散介质为去离子水，原料:锆球:去离子水的质量比为1:3:3或1:2:3或1:2:2或1:2:1.5，转速为150-300rmin，球磨时间为18-30小时； 所述步骤S4中，二次球磨料烘干温度为120-130℃，时间18-24小时，然后加入5-10%塑化剂进行喷雾造粒；最后在80-150MPa压力下，采用干压和等静压结合的工艺压制成型； 所述步骤S5中，排胶炉升温速率为1-2℃min，在600-750℃下保温1-2小时；多次反复烧结在烧结成瓷过程中，采用密闭的氧化铝坩埚，在坩埚中放入氧化锆粉料，将坯体埋在氧化锆里面，并盖好坩埚盖； 所述步骤S6中，采用真空蒸镀复合电极层的方法制作电极层，电极层由下往上依次蒸镀Cr-Ni、Au、Ag金属层，电极层总厚度为150-170nm。

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