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龙图腾网获悉大连民族大学申请的专利一种CdS/TiO2/CdS半反转量子阱型纳米片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117160489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311137215.3，技术领域涉及：B01J27/04；该发明授权一种CdS/TiO2/CdS半反转量子阱型纳米片及其制备方法和应用是由张振翼;苑青;鲁巍;吕娜设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CdS/TiO2/CdS半反转量子阱型纳米片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于光催化技术领域，尤其涉及一种CdSTiO2CdS半反转量子阱型纳米片及其制备方法和应用。本发明选用TiO2纳米片的超薄边缘层作为量子阱阱底，巧妙利用TiO2晶面异质结的氧化还原特性，借助简单的光还原法和离子交换法在TiO2{101}面上生长CdS量子点作为量子阱势垒，构筑CdSTiO2CdS半反转量子阱型纳米片。TiO2是一种宽带隙半导体，禁带宽度为3.2eV，只能吸收太阳光中4％左右的紫外光。CdS是一种n型半导体，禁带宽度为2.4eV，可以吸收可见光。将TiO2和CdS复合可以将光响应范围扩展到可见光区，提高对太阳光的利用效率；对水和二氧化碳还原的光催化性能明显提升。

本发明授权一种CdS/TiO2/CdS半反转量子阱型纳米片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种CdSTiO2CdS半反转量子阱型纳米片，由TiO2纳米片和CdS纳米粒子复合而成； 所述TiO2纳米片为{101}晶面和{001}晶面同时暴露的锐钛矿晶面异质结结构； 所述CdS纳米粒子组装在所述TiO2纳米片的{101}晶面上，且呈量子点结构； 所述CdSTiO2CdS半反转量子阱型纳米片的制备方法，包括以下步骤： 将钛源、氢氟酸和乙醇混合，进行溶剂热反应，得到TiO2纳米片； 将所述TiO2纳米片分散于水中后，进行紫外灯活化，得到光活化TiO2纳米片； 将所述光活化TiO2纳米片和银氨溶液混合，在模拟太阳光的照射下，进行还原反应，得到AgTiO2Ag纳米片； 将所述AgTiO2Ag纳米片、硫源和水混合，进行络合反应，得到Ag2STiO2Ag2S纳米片； 将所述Ag2STiO2Ag2S纳米片、镉源和水混合，进行镉离子交换，得到所述CdSTiO2CdS半反转量子阱型纳米片。

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