买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种多层二硫化钼薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117361628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311350289.5，技术领域涉及：C01G39/06；该发明授权一种多层二硫化钼薄膜的制备方法是由林伟毅;李波;叶添;庄萍萍;闫晗设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层二硫化钼薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多层二硫化钼薄膜的制备方法，属于薄膜材料制备技术领域。本发明将四硫代钼酸铵溶液涂覆于第一衬底的单面，去除混合有机溶剂后形成固态薄膜，将所得第一衬底‑固态薄膜工件进行预退火处理以使所述固态薄膜转化为前驱体薄膜，在所得第一衬底‑前驱体薄膜工件中前驱体薄膜的表面叠层放置第二衬底，依次进行键合处理与退火处理，在所述第一衬底与第二衬底之间得到所述多层二硫化钼薄膜。本发明利用键合技术可以减少退火处理过程中薄膜质量损伤，能够在缩短处理时间的基础上得到高质量多层二硫化钼薄膜。

本发明授权一种多层二硫化钼薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将四硫代钼酸铵与混合有机溶剂混合，得到四硫代钼酸铵溶液； 将所述四硫代钼酸铵溶液涂覆于第一衬底的单面，去除所述四硫代钼酸铵溶液中混合有机溶剂，在所述第一衬底的单面形成固态薄膜，得到第一衬底-固态薄膜工件； 将所述第一衬底-固态薄膜工件进行预退火处理以使所述固态薄膜转化为前驱体薄膜，得到第一衬底-前驱体薄膜工件；所述预退火处理的温度为350～400℃，保温时间为20～30min； 在所述第一衬底-前驱体薄膜工件中前驱体薄膜的表面叠层放置第二衬底，进行键合处理，得到第一衬底-前驱体薄膜-第二衬底工件；所述键合处理的条件包括：温度为100～120℃，压力为13000～15000N，时间为40～60min； 将所述第一衬底-前驱体薄膜-第二衬底工件进行退火处理，在所述第一衬底与第二衬底之间得到所述多层二硫化钼薄膜；所述退火处理的温度为950～1000℃，保温时间为10～20min；所述退火处理在保护气体存在条件下进行，所述退火处理的过程中保护气体的压强为0.5～1个标准大气压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门大学，其通讯地址为：361005 福建省厦门市思明区思明南路422号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。